MJB44H11G, Биполярный транзистор, NPN, 80 В, 10 А, 50 Вт
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
см. техническую документацию
1 350 ֏
Мин. кол-во для заказа 2 шт.
от 9 шт. —
1 140 ֏
от 18 шт. —
1 030 ֏
от 36 шт. —
990 ֏
Добавить в корзину 2 шт.
на сумму 2 700 ֏
Альтернативные предложения1
Описание
Транзисторы / Биполярные транзисторы / Одиночные биполярные транзисторы
Биполярный транзистор, NPN, 80 В, 10 А, 50 Вт
Технические параметры
Корпус | D2Pak(TO-263) | |
Brand | ON Semiconductor | |
Collector- Base Voltage VCBO | 5 V | |
Collector- Emitter Voltage VCEO Max | 80 V | |
Collector-Emitter Saturation Voltage | 1 V | |
Configuration | Single | |
Continuous Collector Current | 10 A | |
DC Collector/Base Gain hfe Min | 60 | |
Emitter- Base Voltage VEBO | 5 V | |
Factory Pack Quantity | 800 | |
Gain Bandwidth Product fT | 50 MHz | |
Height | 4.83 mm(Max) | |
Length | 10.29 mm(Max) | |
Manufacturer | ON Semiconductor | |
Maximum DC Collector Current | 10 A | |
Maximum Operating Temperature | +150 C | |
Minimum Operating Temperature | -55 C | |
Mounting Style | SMD/SMT | |
Package / Case | TO-263-3 | |
Packaging | Reel | |
Pd - Power Dissipation | 50 W | |
Product Category | Bipolar Transistors-BJT | |
RoHS | Details | |
Series | MJB44H11 | |
Transistor Polarity | NPN | |
Width | 9.65 mm(Max) | |
Вес, г | 1.2 |
Техническая документация
Документация
pdf, 177 КБ