Главная › Электронные компоненты › Транзисторы › Биполярные (BJTs) › Nexperia › PUMH11,115, Цифровые биполярные транзисторы ...

PUMH11,115, Цифровые биполярные транзисторы NPN+NPN, 50 В, 0.1 А, 0.3 Вт, 230 МГц, 10 кОм+10 кОм

Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию

5740 шт. с центрального склада, срок 3-4 недели

35 ֏

Мин. кол-во для заказа 57 шт.

от 273 шт. — 27 ֏

от 545 шт. — 23 ֏

от 1090 шт. — 20 ֏

Добавить в корзину 57 шт. на сумму 1 995 ֏

Альтернативные предложения4

Номенклатурный номер: 8001804929

Бренд: Nexperia B.V.

Описание

Транзисторы / Биполярные транзисторы / Сборки цифровых транзисторов

Цифровые биполярные транзисторы NPN+NPN, 50 В, 0.1 А, 0.3 Вт, 230 МГц, 10 кОм+10 кОм

Технические параметры

Корпус	TSSOP6
Вид монтажа	SMD/SMT
Высота	1 mm
Длина	2.2 mm
Другие названия товара №	934049930115
Категория продукта	Биполярные транзисторы - С предварительно заданным
Квалификация	AEC-Q101
Конфигурация	Dual
Максимальная рабочая температура	+ 150 C
Минимальная рабочая температура	65 C
Напряжение коллектор-эмиттер (VCEO), макс.	50 V
Непрерывный коллекторный ток	100 mA
Пиковый постоянный ток коллектора	100 mA
Подкатегория	Transistors
Полярность транзистора	NPN
Размер фабричной упаковки	3000
Тип продукта	BJTs - Bipolar Transistors - Pre-Biased
Типичное входное сопротивление	10 kOhms
Типичный коэффициент деления резистора	1
Торговая марка	Nexperia
Упаковка / блок	TSSOP-6
Ширина	1.35 mm
Base Product Number	PUMH11 ->
Current - Collector (Ic) (Max)	100mA
Current - Collector Cutoff (Max)	1ВµA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce	30 @ 5mA, 5V
ECCN	EAR99
HTSUS	8541.21.0095
Moisture Sensitivity Level (MSL)	1 (Unlimited)
Mounting Type	Surface Mount
Package	Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT)Digi-ReelВ®
Package / Case	6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Power - Max	300mW
REACH Status	REACH Unaffected
Resistor - Base (R1)	10kOhms
Resistor - Emitter Base (R2)	10kOhms
RoHS Status	ROHS3 Compliant
Supplier Device Package	6-TSSOP
Transistor Type	2 NPN - Pre-Biased (Dual)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic	150mV @ 500ВµA, 10mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max)	50V
Collector-Emitter Breakdown Voltage	50V
Maximum DC Collector Current	100mA
Pd - Power Dissipation	300mW
Maximum Collector Emitter Voltage	50 V
Maximum Emitter Base Voltage	10 V
Maximum Operating Temperature	+150 °C
Number of Elements per Chip	2
Package Type	UMT
Pin Count	6
Transistor Configuration	Isolated
Typical Input Resistor	10 kΩ
Typical Resistor Ratio	1
Вес, г	0.05