MMUN2233LT1G, Цифровой биполярный транзистор NPN, 50 В, 0.1 А, 0.246 Вт, 4.7 кОм+47 кОм
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
см. техническую документацию
22 ֏
Мин. кол-во для заказа 96 шт.
от 911 шт. —
17 ֏
от 1821 шт. —
13 ֏
от 3000 шт. —
11 ֏
Добавить в корзину 96 шт.
на сумму 2 112 ֏
Описание
Транзисторы / Биполярные транзисторы / Одиночные цифровые транзисторы
Цифровой биполярный транзистор NPN, 50 В, 0.1 А, 0.246 Вт, 4.7 кОм+47 кОм
Технические параметры
| Корпус | SOT-23-3 | |
| Brand: | onsemi | |
| Collector- Emitter Voltage VCEO Max: | 50 V | |
| Configuration: | Single | |
| Continuous Collector Current: | 0.1 A | |
| DC Collector/Base Gain hFE Min: | 80, 200 | |
| DC Current Gain hFE Max: | 80 | |
| Factory Pack Quantity: Factory Pack Quantity: | 3000 | |
| Manufacturer: | onsemi | |
| Maximum Operating Temperature: | +150 C | |
| Minimum Operating Temperature: | -55 C | |
| Mounting Style: | SMD/SMT | |
| Package/Case: | SOT-23-3 | |
| Pd - Power Dissipation: | 246 mW | |
| Peak DC Collector Current: | 100 mA | |
| Product Category: | Bipolar Transistors-Pre-Biased | |
| Product Type: | BJTs-Bipolar Transistors-Pre-Biased | |
| Series: | MMUN2233L | |
| Subcategory: | Transistors | |
| Transistor Polarity: | NPN | |
| Typical Input Resistor: | 4.7 kOhms | |
| Typical Resistor Ratio: | 0.1 | |
| Вес, г | 0.008 |
