Главная › Электронные компоненты › Транзисторы › Биполярные (BJTs) › Nexperia › PMBTA45,215, Биполярный транзистор, NPN ...

PMBTA45,215, Биполярный транзистор, NPN, 500 В, 0.15 А, 0.25Вт

Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию

2126 шт. с центрального склада, срок 3-4 недели

97 ֏

Мин. кол-во для заказа 21 шт.

от 104 шт. — 79 ֏

от 208 шт. — 70 ֏

от 416 шт. — 62 ֏

Добавить в корзину 21 шт. на сумму 2 037 ֏

Альтернативные предложения1

Номенклатурный номер: 8001916397

Бренд: Nexperia B.V.

Описание

Транзисторы / Биполярные транзисторы / Одиночные биполярные транзисторы

Биполярный транзистор, NPN, 500 В, 0.15 А, 0.25Вт

Технические параметры

Корпус	SOT-23(TO-236AB)
Pd - рассеивание мощности	300 mW
Вид монтажа	SMD/SMT
Высота	1 mm
Длина	3 mm
Категория продукта	Биполярные транзисторы - BJT
Коллектор постоянного тока/Мин. коэфф. усиления транзистора (hfe)	50
Конфигурация	Single
Коэффициент усиления по постоянному току (hFE), макс.	100
Максимальная рабочая температура	+ 150 C
Максимальный постоянный ток коллектора	0.5 A
Минимальная рабочая температура	55 C
Напряжение коллектор-база (VCBO)	500 V
Напряжение коллектор-эмиттер (VCEO), макс.	500 V
Напряжение эмиттер-база (VEBO)	6 V
Непрерывный коллекторный ток	0.15 A
Подкатегория	Transistors
Полярность транзистора	NPN
Произведение коэффициента усиления на ширину полосы пропускания (fT)	35 MHz
Размер фабричной упаковки	3000
Тип продукта	BJTs - Bipolar Transistors
Торговая марка	Nexperia
Упаковка / блок	SOT-23-3
Ширина	1.4 mm
Base Product Number	PMBTA45 ->
Current - Collector (Ic) (Max)	150mA
Current - Collector Cutoff (Max)	100nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce	50 @ 50mA, 10V
ECCN	EAR99
Frequency - Transition	35MHz
HTSUS	8541.21.0095
Moisture Sensitivity Level (MSL)	1 (Unlimited)
Mounting Type	Surface Mount
Operating Temperature	150В°C (TJ)
Package	Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT)Digi-ReelВ®
Package / Case	TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Power - Max	300mW
REACH Status	REACH Unaffected
RoHS Status	ROHS3 Compliant
Supplier Device Package	TO-236AB
Transistor Type	NPN
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic	90mV @ 6mA, 50mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max)	500V
Collector-Emitter Breakdown Voltage	500V
Maximum DC Collector Current	150mA
Pd - Power Dissipation	300mW
Maximum Collector Base Voltage	500 V
Maximum Collector Emitter Voltage	500 V
Maximum Emitter Base Voltage	6 V
Maximum Operating Temperature	+150 °C
Maximum Power Dissipation	300 mW
Minimum DC Current Gain	50
Number of Elements per Chip	1
Package Type	SOT-23
Pin Count	3
Transistor Configuration	Single
Вес, г	0.05