IGW40N60H3
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
см. техническую документацию
7 100 ֏
Добавить в корзину 1 шт.
на сумму 7 100 ֏
Описание
Электроэлемент
Транзистор: IGBT; биполярный; 600В; 80А; 306Вт; PG-TO247-3
Технические параметры
Brand | Infineon Technologies |
Collector- Emitter Voltage VCEO Max | 600 V |
Collector-Emitter Saturation Voltage | 1.95 V |
Continuous Collector Current at 25 C | 80 A |
Continuous Collector Current Ic Max | 80 A |
Factory Pack Quantity | 240 |
Gate-Emitter Leakage Current | 100 nA |
Manufacturer | Infineon |
Maximum Gate Emitter Voltage | 20 V |
Maximum Operating Temperature | +150 C |
Minimum Operating Temperature | -40 C |
Mounting Style | Through Hole |
Package / Case | TO-247 |
Packaging | Tube |
Part # Aliases | IGW40N60H3FKSA1 IGW40N60H3XK SP000769926 |
Pd - Power Dissipation | 306 W |
Product Category | IGBT Transistors |
RoHS | Details |
Series | IGW40N60 |
Technology | Si |
Unit Weight | 0.229281 oz |
Pd - рассеивание мощности | 306 W |
Вид монтажа | Through Hole |
Другие названия товара № | IGW40N60H3FKSA1 IGW4N6H3XK SP000769926 |
Категория продукта | Биполярные транзисторы с изолированным затвором (I |
Коммерческое обозначение | TRENCHSTOP |
Конфигурация | Single |
Максимальная рабочая температура | + 175 C |
Максимальное напряжение затвор-эмиттер | +/- 20 V |
Минимальная рабочая температура | 40 C |
Напряжение коллектор-эмиттер (VCEO), макс. | 600 V |
Напряжение насыщения коллектор-эмиттер | 1.95 V |
Непрерывный коллекторный ток при 25 C | 80 A |
Подкатегория | IGBTs |
Размер фабричной упаковки | 240 |
Серия | HighSpeed 3 |
Технология | Si |
Тип продукта | IGBT Transistors |
Ток утечки затвор-эмиттер | 100 nA |
Торговая марка | Infineon Technologies |
Упаковка | Tube |
Упаковка / блок | TO-247-3 |
Вес, г | 6.13 |
Техническая документация
Datasheet IGW40N60H3
pdf, 1937 КБ