MMBT589LT1G, Биполярный транзистор, PNP, 30 В, 1 А, 0.31 Вт
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
см. техническую документацию
38 ֏
Мин. кол-во для заказа 51 шт.
от 143 шт. —
34 ֏
от 286 шт. —
28 ֏
от 571 шт. —
26 ֏
Добавить в корзину 51 шт.
на сумму 1 938 ֏
Описание
Транзисторы / Биполярные транзисторы / Одиночные биполярные транзисторы
Биполярный транзистор, PNP, 30 В, 1 А, 0.31 Вт
Технические параметры
Корпус | SOT-23-3(TO-236) | |
Pd - рассеивание мощности | 310 mW | |
Вид монтажа | SMD/SMT | |
Высота | 0.94 mm | |
Длина | 2.9 mm | |
Категория продукта | Биполярные транзисторы - BJT | |
Квалификация | AEC-Q101 | |
Конфигурация | Single | |
Максимальная рабочая температура | + 150 C | |
Максимальный постоянный ток коллектора | 1 A | |
Минимальная рабочая температура | 55 C | |
Напряжение коллектор-база (VCBO) | 50 V | |
Напряжение коллектор-эмиттер (VCEO), макс. | 30 V | |
Напряжение насыщения коллектор-эмиттер | 0.65 V | |
Напряжение эмиттер-база (VEBO) | 5 V | |
Непрерывный коллекторный ток | 1 A | |
Подкатегория | Transistors | |
Полярность транзистора | PNP | |
Произведение коэффициента усиления на ширину полосы пропускания (fT) | 100 MHz | |
Размер фабричной упаковки | 3000 | |
Серия | MMBT589L | |
Тип продукта | BJTs - Bipolar Transistors | |
Торговая марка | ON Semiconductor | |
Упаковка / блок | SOT-23-3 | |
Ширина | 1.3 mm | |
Вес, г | 0.05 |
Техническая документация
Datasheet MMBT589LT1G
pdf, 102 КБ