Главная › Электронные компоненты › Транзисторы › Биполярные (BJTs) › ON Semiconductor › 2N5551TF, Trans GP BJT NPN 160V 0.6A 625mW ...

2N5551TF, Trans GP BJT NPN 160V 0.6A 625mW 3-Pin TO-92 T/R

Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию

39 ֏

Мин. кол-во для заказа 4000 шт.

Кратность заказа 2000 шт.

Добавить в корзину 4000 шт. на сумму 156 000 ֏

Номенклатурный номер: 8002306384

Бренд: ON Semiconductor***

Описание

Биполярные транзисторы - BJT NPN Transistor General Purpose

Технические параметры

Pd - рассеивание мощности	625 mW
Вид монтажа	Through Hole
Высота	4.7 mm
Длина	4.7 mm
Категория продукта	Биполярные транзисторы - BJT
Коллектор постоянного тока/Мин. коэфф. усиления транзистора (hfe)	80
Конфигурация	Single
Коэффициент усиления по постоянному току (hFE), макс.	250
Максимальная рабочая температура	+ 150 C
Максимальный постоянный ток коллектора	0.6 A
Минимальная рабочая температура	55 C
Напряжение коллектор-база (VCBO)	180 V
Напряжение коллектор-эмиттер (VCEO), макс.	160 V
Напряжение насыщения коллектор-эмиттер	0.2 V
Напряжение эмиттер-база (VEBO)	6 V
Непрерывный коллекторный ток	0.6 A
Подкатегория	Transistors
Полярность транзистора	NPN
Произведение коэффициента усиления на ширину полосы пропускания (fT)	300 MHz
Размер фабричной упаковки	2000
Серия	2N5551
Тип продукта	BJTs - Bipolar Transistors
Торговая марка	ON Semiconductor / Fairchild
Упаковка	Reel, Cut Tape
Упаковка / блок	TO-92-3 Kinked Lead
Ширина	3.93 mm
Maximum Collector Base Voltage	180 V
Maximum Collector Emitter Voltage	160 V
Maximum DC Collector Current	600 mA
Maximum Emitter Base Voltage	6 V
Maximum Operating Frequency	100 MHz
Maximum Operating Temperature	+150 °C
Maximum Power Dissipation	625 mW
Minimum DC Current Gain	80
Mounting Type	Through Hole
Number of Elements per Chip	1
Package Type	TO-92
Pin Count	3
Transistor Configuration	Single
Transistor Type	NPN
Вес, г	1