IXBH10N170, Транзистор: IGBT, BiMOSFET™, 1,7кВ, 10А, 140Вт, TO247-3
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
см. техническую документацию
13 600 ֏
от 3 шт. —
10 600 ֏
от 10 шт. —
8 700 ֏
Добавить в корзину 1 шт.
на сумму 13 600 ֏
Описание
Semiconductors\Transistors\IGBT transistors and modules\IGBT transistors
Технические параметры
| Case | TO247-3 |
| Collector current | 10A |
| Collector-emitter voltage | 1.7kV |
| Features of semiconductor devices | high voltage |
| Gate charge | 30nC |
| Gate-emitter voltage | ±20V |
| Kind of package | tube |
| Manufacturer | IXYS |
| Mounting | THT |
| Power dissipation | 140W |
| Pulsed collector current | 40A |
| Technology | BiMOSFET™ |
| Turn-off time | 1.8µs |
| Turn-on time | 63ns |
| Type of transistor | IGBT |
| Вес, г | 6 |
Техническая документация
Datasheet
pdf, 529 КБ
Похожие товары
![FGL40N120ANDTU, Транзистор IGBT 1200В 64А 500Вт + диод [TO-264]](https://static.chipdip.ru/lib/269/DOC006269373.jpg)
![IKY75N120CH3XKSA1 (K75MCH3), Транзистор, IGBT HighSpeed 3, N-CH, 1200В, 75А, 18...60 кГц [PG-TO247-4-2]](https://static.chipdip.ru/lib/569/DOC010569041.jpg)
