2SK209, Транзистор N-JFET, полевой, 14мА, 150мВт, SC59, Igt 10мА
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
см. техническую документацию
3249 шт., срок 8 недель
1 140 ֏
Добавить в корзину 1 шт.
на сумму 1 140 ֏
Альтернативные предложения2
Описание
Описание Транзистор N-JFET, полевой, 14мА, 150мВт, SC59, Igt 10мА Характеристики
Категория | Транзистор |
Тип | полевой |
Вид | JFET |
Технические параметры
Brand: | Toshiba |
Configuration: | Single |
Factory Pack Quantity: Factory Pack Quantity: | 3000 |
Id - Continuous Drain Current: | 14 mA |
Manufacturer: | Toshiba |
Maximum Operating Temperature: | +125 C |
Minimum Operating Temperature: | -55 C |
Mounting Style: | SMD/SMT |
Package / Case: | SOT-346-3 |
Pd - Power Dissipation: | 150 mW |
Product Category: | JFET |
Product Type: | JFETs |
Series: | 2SK209 |
Subcategory: | Transistors |
Technology: | Si |
Transistor Polarity: | N-Channel |
Type: | JFET |
Current - Test | 500ВµA |
Current Rating (Amps) | - |
Frequency | 1kHz |
Gain | - |
Manufacturer | Toshiba Semiconductor and Storage |
Noise Figure | 1dB |
Package / Case | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 |
Packaging | Tape & Reel(TR) |
Part Status | Active |
Power - Output | - |
Series | - |
Supplier Device Package | SC-59 |
Transistor Type | N-Channel JFET |
Voltage - Test | 10V |
Вес, г | 0.023 |
Техническая документация
Datasheet 2SK209-GR(TE85L,F)
pdf, 282 КБ
Datasheet 2SK209-Y(TE85L,F)
pdf, 278 КБ
Сроки доставки
Доставка в регион Ереван
Офис «ЧИП и ДИП» | 26 июня1 | бесплатно |
HayPost | 30 июня1 | 1 650 ֏2 |
1 ориентировочно, дата доставки зависит от даты оплаты или подтверждения заказа
2 для посылок массой до 1 кг