AOD3N50, Транзистор N-МОП, полевой, 500В, 1,8А, 57Вт, TO252

Фото 1/2 AOD3N50, Транзистор N-МОП, полевой, 500В, 1,8А, 57Вт, TO252
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
1 180 ֏
от 5 шт.590 ֏
от 25 шт.467 ֏
от 100 шт.358 ֏
Добавить в корзину 1 шт. на сумму 1 180 ֏
Номенклатурный номер: 8002583313
Бренд: Alpha & Omega

Описание

Semiconductors\Transistors\Unipolar transistors\N channel transistors
Описание Транзистор N-МОП, полевой, 500В, 1,8А, 57Вт, TO252 Характеристики
Категория Транзистор
Тип полевой
Вид MOSFET

Технические параметры

Case TO252
Drain current 1.8A
Drain-source voltage 500V
Gate charge 6.7nC
Gate-source voltage ±30V
Kind of channel enhanced
Manufacturer ALPHA & OMEGA SEMICONDUCTOR
Mounting SMD
On-state resistance
Polarisation unipolar
Power dissipation 57W
Type of transistor N-MOSFET
Automotive Unknown
Channel Mode Enhancement
Channel Type N
Maximum Continuous Drain Current - (A) 2.8
Maximum Drain Source Resistance - (mOhm) 3000@10V
Maximum Drain Source Voltage - (V) 500
Maximum Gate Source Voltage - (V) ?30
Maximum Power Dissipation - (mW) 57000
Military No
Number of Elements per Chip 1
Operating Temperature - (?C) -50~150
Pin Count 3
Standard Package Name TO-252
Supplier Package DPAK
Typical Gate Charge @ 10V - (nC) 6.7
Typical Gate Charge @ Vgs - (nC) 6.7@10V
Typical Input Capacitance @ Vds - (pF) 276@25V
Вес, г 0.45

Техническая документация

Datasheet
pdf, 276 КБ
Документация
pdf, 276 КБ