SI1022R-T1-GE3, Транзистор: N-MOSFET, полевой, 60В, 0,24А, 0,13Вт, SC75A
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
см. техническую документацию
463 ֏
Мин. кол-во для заказа 3 шт.
от 25 шт. —
337 ֏
от 100 шт. —
261 ֏
от 500 шт. —
218 ֏
Добавить в корзину 3 шт.
на сумму 1 389 ֏
Описание
Описание Транзистор: N-MOSFET, полевой, 60В, 0,24А, 0,13Вт, SC75A Характеристики
Категория | Транзистор |
Тип | полевой |
Вид | MOSFET |
Технические параметры
Brand: | Vishay Semiconductors |
Channel Mode: | Enhancement |
Configuration: | Single |
Factory Pack Quantity: Factory Pack Quantity: | 3000 |
Forward Transconductance - Min: | 100 mS |
Id - Continuous Drain Current: | 330 mA |
Manufacturer: | Vishay |
Maximum Operating Temperature: | +150 C |
Minimum Operating Temperature: | -55 C |
Mounting Style: | SMD/SMT |
Number of Channels: | 1 Channel |
Package/Case: | SOT-416-3 |
Part # Aliases: | SI1022R-GE3 |
Pd - Power Dissipation: | 250 mW |
Product Category: | MOSFET |
Product Type: | MOSFET |
Qg - Gate Charge: | 600 pC |
Rds On - Drain-Source Resistance: | 2.25 Ohms |
Series: | SI1 |
Subcategory: | MOSFETs |
Technology: | Si |
Tradename: | TrenchFET |
Transistor Polarity: | N-Channel |
Transistor Type: | 1 N-Channel |
Typical Turn-Off Delay Time: | 35 ns |
Typical Turn-On Delay Time: | 25 ns |
Vds - Drain-Source Breakdown Voltage: | 60 V |
Vgs - Gate-Source Voltage: | -20 V, +20 V |
Vgs th - Gate-Source Threshold Voltage: | 1 V |
Вес, г | 0.013 |
Техническая документация
Datasheet
pdf, 151 КБ