Главная › Электронные компоненты › Транзисторы › Биполярные (BJTs) › Microchip › VP2206N3-G, Транзистор P-МОП, -60В, -4А ...

VP2206N3-G, Транзистор P-МОП, -60В, -4А, 740мВт, TO92

Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию

4 460 ֏

от 5 шт. — 3 810 ֏

от 25 шт. — 2 740 ֏

от 100 шт. — 2 360 ֏

Добавить в корзину 1 шт. на сумму 4 460 ֏

Номенклатурный номер: 8002656690

Бренд: Microchip Technology

Описание

МОП-транзистор 60V 0.9Ohm

Технические параметры

Id - непрерывный ток утечки	640 mA
Pd - рассеивание мощности	1 W
Rds Вкл - сопротивление сток-исток	900 mOhms
Vds - напряжение пробоя сток-исток	60 V
Vgs - напряжение затвор-исток	20 V, + 20 V
Vgs th - пороговое напряжение затвор-исток	3.5 V
Вид монтажа	Through Hole
Время нарастания	16 ns
Время спада	22 ns
Высота	5.33 mm
Длина	5.21 mm
Канальный режим	Enhancement
Категория продукта	МОП-транзистор
Количество каналов	1 Channel
Конфигурация	Single
Максимальная рабочая температура	+ 150 C
Минимальная рабочая температура	55 C
Подкатегория	MOSFETs
Полярность транзистора	P-Channel
Размер фабричной упаковки	1000
Технология	Si
Тип	FET
Тип продукта	MOSFET
Тип транзистора	1 P-Channel
Типичное время задержки выключения	16 ns
Типичное время задержки при включении	4 ns
Торговая марка	Microchip Technology
Упаковка	Bulk
Упаковка / блок	TO-92-3
Ширина	4.19 mm
Base Product Number	VP2206 ->
Current - Continuous Drain (Id) @ 25В°C	640mA (Tj)
Drain to Source Voltage (Vdss)	60V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)	5V, 10V
ECCN	EAR99
FET Type	P-Channel
HTSUS	8541.21.0095
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds	450pF @ 25V
Moisture Sensitivity Level (MSL)	1 (Unlimited)
Mounting Type	Through Hole
Operating Temperature	-55В°C ~ 150В°C (TJ)
Package	Bulk
Package / Case	TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA)
PCN Assembly/Origin	http://www.microchip.com/mymicrochip/NotificationD
PCN Packaging	http://www.microchip.com/mymicrochip/NotificationD
Power Dissipation (Max)	740mW (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs	900mOhm @ 3.5A, 10V
REACH Status	REACH Unaffected
RoHS Status	ROHS3 Compliant
Supplier Device Package	TO-92-3
Technology	MOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max)	В±20V
Vgs(th) (Max) @ Id	3.5V @ 10mA
Channel Mode	Enhancement
Channel Type	P
Maximum Continuous Drain Current	643 mA
Maximum Drain Source Resistance	1.5 Ω
Maximum Drain Source Voltage	60 V
Maximum Gate Threshold Voltage	3.5V
Number of Elements per Chip	1
Package Type	TO-92
Pin Count	3
Series	VP2206
Transistor Material	Silicon
Drain Source On State Resistance	0.75Ом
Power Dissipation	740мВт
Количество Выводов	3вывод(-ов)
Линейка Продукции	VP2206
Монтаж транзистора	Through Hole
Напряжение Измерения Rds(on)	10В
Напряжение Истока-стока Vds	60В
Непрерывный Ток Стока	640мА
Пороговое Напряжение Vgs	3.5В
Рассеиваемая Мощность	740мВт
Сопротивление во Включенном Состоянии Rds(on)	0.75Ом
Стиль Корпуса Транзистора	TO-92
Continuous Drain Current	0.64(A)
Drain-Source On-Volt	60(V)
Gate-Source Voltage (Max)	'±20(V)
Mounting	Through Hole
Number of Elements	1
Operating Temp Range	-55C to 150C
Operating Temperature Classification	Military
Packaging	Bag
Polarity	P
Rad Hardened	No
Type	Power MOSFET
Вес, г	0.22