2N5088G
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
см. техническую документацию
1 070 ֏
Мин. кол-во для заказа 2 шт.
от 5 шт. —
810 ֏
от 10 шт. —
680 ֏
от 100 шт. —
580 ֏
Добавить в корзину 2 шт.
на сумму 2 140 ֏
Описание
Электроэлемент
Bulk Through Hole NPN Single Bipolar (BJT) Transistor 300 @ 100muA 5V 50nA ICBO 625mW 50MHz
Технические параметры
Category | Bipolar Small Signal |
Collector Current (DC) | 0.05(A) |
Collector Current (DC) (Max) | 0.05 A |
Collector-Base Voltage | 35(V) |
Collector-Emitter Voltage | 30(V) |
Configuration | Single |
DC Current Gain | 300 |
DC Current Gain (Min) | 300 |
Emitter-Base Voltage | 3(V) |
Frequency | 50(MHz) |
Frequency (Max) | 50 MHz |
Mounting | Through Hole |
Number of Elements | 1 |
Operating Temp Range | -55C to 150C |
Operating Temperature Classification | Military |
Output Power | Not Required(W) |
Package Type | TO-92 |
Packaging | Box |
Pin Count | 3 |
Power Dissipation | 0.625(W) |
Rad Hardened | No |
Transistor Polarity | NPN |
Вес, г | 0.3 |