FJV1845FMTF

Фото 1/3 FJV1845FMTF
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
421 ֏
Мин. кол-во для заказа 2 шт.
от 5 шт.192 ֏
от 10 шт.119 ֏
от 100 шт.54 ֏
Добавить в корзину 2 шт. на сумму 842 ֏
Номенклатурный номер: 8002984068

Описание

Электроэлемент
50nA 120V 300mW 300@1mA,6V 50mA 110MHz 70mV@10mA,1mA NPN +150°C@(Tj) SOT-23 BIpolar TransIstors - BJT

Технические параметры

Base Part Number FJV1845
Current - Collector (Ic) (Max) 50mA
Current - Collector Cutoff (Max) 50nA(ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce 300 @ 1mA, 6V
Frequency - Transition 110MHz
Manufacturer ON Semiconductor
Mounting Type Surface Mount
Operating Temperature 150В°C(TJ)
Package / Case TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Packaging Cut Tape(CT)
Part Status Active
Power - Max 300mW
Series -
Supplier Device Package SOT-23-3
Transistor Type NPN
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic 300mV @ 1mA, 10mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) 120V
Pd - рассеивание мощности 300 mW
Вид монтажа SMD/SMT
Высота 0.93 mm
Длина 2.92 mm
Категория продукта Биполярные транзисторы - BJT
Коллектор постоянного тока/Мин. коэфф. усиления транзистора (hfe) 200
Конфигурация Single
Коэффициент усиления по постоянному току (hFE), макс. 1200
Максимальная рабочая температура + 150 C
Максимальный постоянный ток коллектора 0.05 A
Минимальная рабочая температура 55 C
Напряжение коллектор-база (VCBO) 120 V
Напряжение коллектор-эмиттер (VCEO), макс. 120 V
Напряжение насыщения коллектор-эмиттер 0.07 V
Напряжение эмиттер-база (VEBO) 5 V
Непрерывный коллекторный ток 0.05 A
Подкатегория Transistors
Полярность транзистора NPN
Произведение коэффициента усиления на ширину полосы пропускания (fT) 100 MHz
Размер фабричной упаковки 3000
Серия FJV1845
Технология Si
Тип продукта BJTs - Bipolar Transistors
Торговая марка ON Semiconductor / Fairchild
Упаковка / блок SOT-23-3
Ширина 1.3 mm
Maximum Collector Base Voltage 120 V
Maximum Collector Emitter Voltage 120 V
Maximum DC Collector Current 50 mA
Maximum Emitter Base Voltage 5 V
Maximum Operating Frequency 110 MHz
Maximum Operating Temperature +150 °C
Maximum Power Dissipation 300 mW
Minimum DC Current Gain 300
Number of Elements per Chip 1
Package Type SOT-23
Pin Count 3
Transistor Configuration Single
Вес, г 0.039

Техническая документация

Datasheet
pdf, 1680 КБ
Datasheet
pdf, 68 КБ
Datasheet FJV1845FMTF
pdf, 186 КБ
Datasheet FJV1845FMTF
pdf, 186 КБ