FJV1845FMTF
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
см. техническую документацию
421 ֏
Мин. кол-во для заказа 2 шт.
от 5 шт. —
192 ֏
от 10 шт. —
119 ֏
от 100 шт. —
54 ֏
Добавить в корзину 2 шт.
на сумму 842 ֏
Описание
Электроэлемент
50nA 120V 300mW 300@1mA,6V 50mA 110MHz 70mV@10mA,1mA NPN +150°C@(Tj) SOT-23 BIpolar TransIstors - BJT
Технические параметры
Base Part Number | FJV1845 |
Current - Collector (Ic) (Max) | 50mA |
Current - Collector Cutoff (Max) | 50nA(ICBO) |
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce | 300 @ 1mA, 6V |
Frequency - Transition | 110MHz |
Manufacturer | ON Semiconductor |
Mounting Type | Surface Mount |
Operating Temperature | 150В°C(TJ) |
Package / Case | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 |
Packaging | Cut Tape(CT) |
Part Status | Active |
Power - Max | 300mW |
Series | - |
Supplier Device Package | SOT-23-3 |
Transistor Type | NPN |
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic | 300mV @ 1mA, 10mA |
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) | 120V |
Pd - рассеивание мощности | 300 mW |
Вид монтажа | SMD/SMT |
Высота | 0.93 mm |
Длина | 2.92 mm |
Категория продукта | Биполярные транзисторы - BJT |
Коллектор постоянного тока/Мин. коэфф. усиления транзистора (hfe) | 200 |
Конфигурация | Single |
Коэффициент усиления по постоянному току (hFE), макс. | 1200 |
Максимальная рабочая температура | + 150 C |
Максимальный постоянный ток коллектора | 0.05 A |
Минимальная рабочая температура | 55 C |
Напряжение коллектор-база (VCBO) | 120 V |
Напряжение коллектор-эмиттер (VCEO), макс. | 120 V |
Напряжение насыщения коллектор-эмиттер | 0.07 V |
Напряжение эмиттер-база (VEBO) | 5 V |
Непрерывный коллекторный ток | 0.05 A |
Подкатегория | Transistors |
Полярность транзистора | NPN |
Произведение коэффициента усиления на ширину полосы пропускания (fT) | 100 MHz |
Размер фабричной упаковки | 3000 |
Серия | FJV1845 |
Технология | Si |
Тип продукта | BJTs - Bipolar Transistors |
Торговая марка | ON Semiconductor / Fairchild |
Упаковка / блок | SOT-23-3 |
Ширина | 1.3 mm |
Maximum Collector Base Voltage | 120 V |
Maximum Collector Emitter Voltage | 120 V |
Maximum DC Collector Current | 50 mA |
Maximum Emitter Base Voltage | 5 V |
Maximum Operating Frequency | 110 MHz |
Maximum Operating Temperature | +150 °C |
Maximum Power Dissipation | 300 mW |
Minimum DC Current Gain | 300 |
Number of Elements per Chip | 1 |
Package Type | SOT-23 |
Pin Count | 3 |
Transistor Configuration | Single |
Вес, г | 0.039 |
Техническая документация
Datasheet
pdf, 1680 КБ
Datasheet
pdf, 68 КБ
Datasheet FJV1845FMTF
pdf, 186 КБ
Datasheet FJV1845FMTF
pdf, 186 КБ