BD180G
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
см. техническую документацию
1 830 ֏
от 2 шт. —
1 450 ֏
от 5 шт. —
1 160 ֏
от 10 шт. —
1 060 ֏
Добавить в корзину 1 шт.
на сумму 1 830 ֏
Описание
Электроэлемент
TRANSISTOR, PNP, TO-126; Transistor Polarity:PNP; Collector Emitter Voltage V(br)ceo:-80V; Transition Frequency ft:3MHz; Power Dissipation Pd:30W; DC Collector Current:3A; DC Current Gain hFE:40hFE; Transistor Case Style:TO-225AA; No. of Pins:3Pins; Operating Temperature Max:150°C; Product Range:-; Automotive Qualification Standard:-; MSL:-; SVHC:No SVHC (27-Jun-2018); Collector Emitter Saturation Voltage Vce(on):-800mV; Continuous Collector Current Ic Max:3A; Current Ic Continuous a Max:3A; Current Ic hFE:150mA; DC Current Gain Hfe Max:250; DC Current Gain Hfe Min:40; Full Power Rating Temperature:25°C; Gain Bandwidth ft Min:3MHz; Gain Bandwidth ft Typ:3MHz; Hfe Min:40; No. of Transistors:1; Operating Temperature Min:-65°C; Operating Temperature Range:-65°C to +150°C; Power Dissipation Ptot Max:30W; Voltage Vcbo:80V
Технические параметры
| Category | Bipolar Power |
| Collector Current (DC) | 1(A) |
| Collector Current (DC) (Max) | 1 A |
| Collector-Base Voltage | 80(V) |
| Collector-Emitter Voltage | 80(V) |
| Configuration | Single |
| DC Current Gain | 15 |
| DC Current Gain (Min) | 15 |
| Emitter-Base Voltage | 5(V) |
| Frequency | 3(MHz) |
| Frequency (Max) | 3 MHz |
| Mounting | Through Hole |
| Number of Elements | 1 |
| Operating Temp Range | -65C to 150C |
| Operating Temperature Classification | Military |
| Output Power | Not Required(W) |
| Package Type | TO-225 |
| Packaging | Box |
| Pin Count | 3+Tab |
| Power Dissipation | 30(W) |
| Rad Hardened | No |
| Transistor Polarity | PNP |
| Pd - рассеивание мощности | 30 W |
| Вид монтажа | Through Hole |
| Высота | 11.04 mm (Max) |
| Длина | 7.74 mm (Max) |
| Категория продукта | Биполярные транзисторы - BJT |
| Коллектор постоянного тока/Мин. коэфф. усиления транзистора (hfe) | 15 |
| Конфигурация | Single |
| Максимальная рабочая температура | + 150 C |
| Максимальный постоянный ток коллектора | 1 A |
| Минимальная рабочая температура | 65 C |
| Напряжение коллектор-база (VCBO) | 80 V |
| Напряжение коллектор-эмиттер (VCEO), макс. | 80 V |
| Напряжение насыщения коллектор-эмиттер | 0.8 V |
| Напряжение эмиттер-база (VEBO) | 5 V |
| Непрерывный коллекторный ток | 1 A |
| Подкатегория | Transistors |
| Полярность транзистора | PNP |
| Произведение коэффициента усиления на ширину полосы пропускания (fT) | 3 MHz |
| Размер фабричной упаковки | 500 |
| Серия | BD180 |
| Тип продукта | BJTs - Bipolar Transistors |
| Торговая марка | ON Semiconductor |
| Упаковка | Bulk |
| Упаковка / блок | TO-225-3 |
| Ширина | 2.66 mm (Max) |
| Collector Emitter Voltage Max | 80В |
| Continuous Collector Current | 3А |
| DC Current Gain hFE Min | 40hFE |
| DC Усиление Тока hFE | 40hFE |
| Количество Выводов | 3вывод(-ов) |
| Монтаж транзистора | Through Hole |
| Стиль Корпуса Транзистора | TO-225AA |
| Частота Перехода ft | 3МГц |
| Maximum Collector Base Voltage | 80 V |
| Maximum Collector Emitter Voltage | -80 V |
| Maximum DC Collector Current | -1 A |
| Maximum Emitter Base Voltage | 5 V |
| Maximum Operating Frequency | 3 MHz |
| Maximum Operating Temperature | +150 °C |
| Maximum Power Dissipation | 30 W |
| Minimum DC Current Gain | 40 |
| Mounting Type | Through Hole |
| Number of Elements per Chip | 1 |
| Transistor Configuration | Single |
| Transistor Type | PNP |
| Вес, г | 0.64 |
Техническая документация
Datasheet
pdf, 1680 КБ
Datasheet
pdf, 144 КБ
Datasheet BD180G
pdf, 81 КБ
Datasheet BD180G
pdf, 84 КБ
