BD810G
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
см. техническую документацию
3 830 ֏
от 2 шт. —
3 320 ֏
от 5 шт. —
2 970 ֏
от 10 шт. —
2 790 ֏
Добавить в корзину 1 шт.
на сумму 3 830 ֏
Описание
Электроэлемент
TRANSISTOR, BIPOL, PNP, 80V, TO-225-3; Transistor Polarity:PNP; Collector Emitter Voltage V(br)ceo:-80V; Transition Frequency ft:1.5MHz; Power Dissipation Pd:90W; DC Collector Current:-10A; DC Current Gain hFE:15hFE; Transistor Case Style:TO-220; No. of Pins:3Pins; Operating Temperature Max:150°C; Product Range:-; Automotive Qualification Standard:-; MSL:MSL 1 - Unlimited; SVHC:Lead (27-Jun-2018)
Технические параметры
| Maximum Collector Base Voltage | 80 V |
| Maximum Collector Emitter Saturation Voltage | 1.1@0.3A@3A V |
| Maximum Collector Emitter Voltage | 80 V |
| Maximum DC Collector Current | 10 A |
| Maximum Operating Frequency | 1.5(Min)MHz |
| Maximum Power Dissipation | 90000 mW |
| Minimum DC Current Gain | 30@2mA@2V|15@4A@2V |
| Mounting | Through Hole |
| Operating Temperature | -55 to 150 ?C |
| Package | 3TO-220AB |
| Packaging | Rail/Tube |
| Pin Count | 3 |
| Rad Hard | No |
| Type | PNP |
| Вес, г | 2.041 |
Техническая документация
BD809-D
pdf, 89 КБ
Документация
pdf, 228 КБ
