MJD122-1
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
см. техническую документацию
32 шт. с центрального склада, срок 3 недели
1 300 ֏
Мин. кол-во для заказа 2 шт.
от 5 шт. —
1 000 ֏
от 10 шт. —
870 ֏
Добавить в корзину 2 шт.
на сумму 2 600 ֏
Альтернативные предложения1
Описание
Электроэлемент
POWER BIPOLAR TRANSISTOR, 5A I(C), 100V V(BR)CEO, 1-ELEMENT, NPN, SILICON, TO-251AA, PLASTIC/EPOXY, 3 PIN
Технические параметры
Configuration | Single |
Maximum Collector Base Voltage | 100 V |
Maximum Collector Emitter Saturation Voltage | 2@16mA@4A|4@80mA@8A V |
Maximum Collector Emitter Voltage | 100 V |
Minimum DC Current Gain | 100@8A@4V|1000@4A@4V |
Mounting | Through Hole |
Package | 3TO-251 |
Packaging | Bulk |
Peak DC Collector Current | 5 A |
Rad Hard | No |
Type | NPN |
Brand: | STMicroelectronics |
Collector- Base Voltage VCBO: | 100 V |
Collector- Emitter Voltage VCEO Max: | 100 V |
Configuration: | Single |
DC Collector/Base Gain hfe Min: | 100 |
DC Current Gain hFE Max: | 12000 |
Emitter- Base Voltage VEBO: | 5 V |
Factory Pack Quantity: Factory Pack Quantity: | 75 |
Manufacturer: | STMicroelectronics |
Maximum Collector Cut-off Current: | 10 uA |
Maximum DC Collector Current: | 5 A |
Maximum Operating Temperature: | +150 C |
Mounting Style: | Through Hole |
Package / Case: | TO-251-3 |
Packaging: | Tube |
Pd - Power Dissipation: | 20 W |
Product Category: | Darlington Transistors |
Product Type: | Darlington Transistors |
Series: | MJD122 |
Subcategory: | Transistors |
Transistor Polarity: | NPN |
Вес, г | 0.34 |
Техническая документация
Сроки доставки
Доставка в регион Ереван
Офис «ЧИП и ДИП» | 19 июня1 | бесплатно |
HayPost | 23 июня1 | 1 650 ֏2 |
1 ориентировочно, дата доставки зависит от даты оплаты или подтверждения заказа
2 для посылок массой до 1 кг
Похожие товары