MJF45H11G, Биполярный транзистор, PNP, 80 В, 10 А, 36Вт
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
см. техническую документацию
550 ֏
Мин. кол-во для заказа 4 шт.
от 15 шт. —
463 ֏
Добавить в корзину 4 шт.
на сумму 2 200 ֏
Описание
Транзисторы / Биполярные транзисторы / Одиночные биполярные транзисторы
Биполярный транзистор, PNP, 80 В, 10 А, 36Вт
Технические параметры
| Корпус | TO-220FP | |
| Pd - рассеивание мощности | 36 W | |
| Вид монтажа | Through Hole | |
| Высота | 9.24 mm (Max) | |
| Длина | 10.63 mm (Max) | |
| Категория продукта | Биполярные транзисторы - BJT | |
| Коллектор постоянного тока/Мин. коэфф. усиления транзистора (hfe) | 40 | |
| Конфигурация | Single | |
| Максимальная рабочая температура | + 150 C | |
| Максимальный постоянный ток коллектора | 10 A | |
| Минимальная рабочая температура | 55 C | |
| Напряжение коллектор-база (VCBO) | 5 V | |
| Напряжение коллектор-эмиттер (VCEO), макс. | 80 V | |
| Напряжение насыщения коллектор-эмиттер | 1 V | |
| Напряжение эмиттер-база (VEBO) | 5 V | |
| Непрерывный коллекторный ток | 10 A | |
| Подкатегория | Transistors | |
| Полярность транзистора | PNP | |
| Произведение коэффициента усиления на ширину полосы пропускания (fT) | 40 MHz | |
| Размер фабричной упаковки | 50 | |
| Серия | MJF45H11 | |
| Тип продукта | BJTs - Bipolar Transistors | |
| Торговая марка | ON Semiconductor | |
| Упаковка | Tube | |
| Упаковка / блок | TO-220FP-3 | |
| Ширина | 4.9 mm (Max) | |
| Category | Bipolar Power | |
| Collector Current (DC) | 10(A) | |
| Collector Current (DC) (Max) | 10 A | |
| Collector-Emitter Voltage | 80(V) | |
| Configuration | Single | |
| DC Current Gain | 60 | |
| DC Current Gain (Min) | 60 | |
| Emitter-Base Voltage | 5(V) | |
| Frequency | 40(MHz) | |
| Frequency (Max) | 40 MHz | |
| Mounting | Through Hole | |
| Number of Elements | 1 | |
| Operating Temp Range | -55C to 150C | |
| Operating Temperature Classification | Military | |
| Output Power | Not Required(W) | |
| Package Type | TO-220FP | |
| Packaging | Rail/Tube | |
| Pin Count | 3+Tab | |
| Power Dissipation | 2(W) | |
| Rad Hardened | No | |
| Transistor Polarity | PNP | |
| Maximum Collector Emitter Voltage | 80 V | |
| Maximum DC Collector Current | 20 A | |
| Maximum Emitter Base Voltage | 5 V | |
| Maximum Operating Frequency | 20 MHz | |
| Maximum Operating Temperature | +150 °C | |
| Maximum Power Dissipation | 36 W | |
| Minimum DC Current Gain | 60 | |
| Mounting Type | Through Hole | |
| Number of Elements per Chip | 1 | |
| Transistor Configuration | Isolated | |
| Transistor Type | PNP | |
| Вес, г | 3.311 |
