HGTP3N60A4D
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
см. техническую документацию
3 570 ֏
от 2 шт. —
3 060 ֏
от 5 шт. —
2 710 ֏
от 10 шт. —
2 540 ֏
Добавить в корзину 1 шт.
на сумму 3 570 ֏
Описание
Электроэлемент
Insulated Gate Bipolar Transistor, 17A, 600V, N-Channel, TO-220AB
Технические параметры
| Вес, г | 2.7 |
Техническая документация
Datasheet HGT1S3N60A4DS, HGTP3N60A4D
pdf, 115 КБ
