Jantx2N4854, Bipolar Transistors - BJT Dual Small-Signal BJT
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
см. техническую документацию
158 000 ֏
Добавить в корзину 1 шт.
на сумму 158 000 ֏
Описание
Все продукты\Полупроводниковые приборы\Дискретные полупроводниковые приборы\Транзисторы\Биполярные транзисторы - BJT
Биполярные транзисторы - BJT BJTs
Технические параметры
Производитель: | Microchip |
Категория продукта: | Биполярные транзисторы - BJT |
Вид монтажа: | Through Hole |
Упаковка / блок: | TO-78-6 |
Полярность транзистора: | NPN, PNP |
Конфигурация: | Single |
Напряжение коллектор-эмиттер (VCEO), макс.: | 40 V |
Напряжение коллектор-база (VCBO): | 60 V |
Напряжение эмиттер-база (VEBO): | 5 V |
Напряжение насыщения коллектор-эмиттер: | 0.4 V |
Максимальный постоянный ток коллектора: | 600 mA |
Pd - рассеивание мощности: | 2 W |
Минимальная рабочая температура: | - 65 C |
Максимальная рабочая температура: | + 200 C |
Серия: | 2N4854 |
Коэффициент усиления по постоянному току (hFE), макс.: | 300 |
Технология: | Si |
Торговая марка: | Microchip Technology |
Непрерывный коллекторный ток: | 600 mA |
Коллектор постоянного тока/Мин. коэфф. усиления транзистора (hfe): | 60 |
Тип продукта: | BJTs - Bipolar Transistors |
Размер фабричной упаковки: | 1 |
Подкатегория: | Transistors |
Вес, г | 1 |
Техническая документация
Datasheet Jantx2N4854
pdf, 362 КБ
Похожие товары