RGTH00TS65GC11, IGBT Transistors 650V 50A IGBT Stop Trench

Фото 1/2 RGTH00TS65GC11, IGBT Transistors 650V 50A IGBT Stop Trench
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
435 шт., срок 8-10 недель
5 800 ֏
от 10 шт.4 510 ֏
от 25 шт.4 030 ֏
от 100 шт.3 270 ֏
Добавить в корзину 1 шт. на сумму 5 800 ֏
Номенклатурный номер: 8004638639
Бренд: Rohm

Описание

Все продукты\Полупроводниковые приборы\Дискретные полупроводниковые приборы\Транзисторы\Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT)
Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) 650V 50A IGBT Stop Trench

Технические параметры

Pd - рассеивание мощности: 277 W
Вид монтажа: Through Hole
Диапазон рабочих температур: - 40 C to + 175 C
Другие названия товара №: RGTH00TS65
Максимальная рабочая температура: + 175 C
Максимальное напряжение затвор-эмиттер: 30 V
Минимальная рабочая температура: - 40 C
Напряжение коллектор-эмиттер (VCEO), макс.: 650 V
Напряжение насыщения коллектор-эмиттер: 1.6 V
Непрерывный коллекторный ток при 25 C: 85 A
Непрерывный коллекторный ток: 50 A
Непрерывный ток коллектора Ic, макс.: 85 A
Подкатегория: IGBTs
Производитель: ROHM Semiconductor
Размер фабричной упаковки: 450
Серия: RGTH00TS65
Технология: Si
Тип продукта: IGBT Transistors
Ток утечки затвор-эмиттер: +/- 200 nA
Торговая марка: ROHM Semiconductor
Упаковка / блок: TO-247-3
Упаковка: Tube
Base Product Number RGTH00 ->
Current - Collector (Ic) (Max) 85A
Current - Collector Pulsed (Icm) 200A
ECCN EAR99
Gate Charge 94nC
HTSUS 8541.29.0095
IGBT Type Trench Field Stop
Input Type Standard
Moisture Sensitivity Level (MSL) 1 (Unlimited)
Mounting Type Through Hole
Operating Temperature -40В°C ~ 175В°C (TJ)
Other Related Documents http://rohmfs.rohm.com/en/techdata_basic/power/inn
Package Tube
Package / Case TO-247-3
Power - Max 277W
REACH Status REACH Unaffected
RoHS Status ROHS3 Compliant
Simulation Models http://rohmfs.rohm.com/en/products/library/spice/d
Supplier Device Package TO-247N
Td (on/off) @ 25В°C 39ns/143ns
Test Condition 400V, 50A, 10Ohm, 15V
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic 2.1V @ 15V, 50A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) 650V
Вес, г 38

Техническая документация

Datasheet RGTH00TS65GC11
pdf, 1097 КБ

Сроки доставки

Доставка в регион Ереван

Офис «ЧИП и ДИП» 14 августа1 бесплатно
HayPost 18 августа1 1 650 ֏2
1 ориентировочно, дата доставки зависит от даты оплаты или подтверждения заказа
2 для посылок массой до 1 кг