RGTH50TS65DGC11, IGBT Transistors 650V 25A IGBT Stop Trench

Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию

201 шт., срок 8-10 недель

4 860 ֏

от 10 шт. — 4 250 ֏

от 25 шт. — 3 460 ֏

от 100 шт. — 2 770 ֏

Добавить в корзину 1 шт. на сумму 4 860 ֏

Номенклатурный номер: 8004638640

Бренд: Rohm

Полупроводниковые приборы\Дискретные полупроводниковые приборы\Транзисторы\Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT)

Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) 650V 25A IGBT Stop Trench

Pd - рассеивание мощности	174 W
Вид монтажа	Through Hole
Диапазон рабочих температур	40 C to + 175 C
Другие названия товара №	RGTH50TS65D
Категория продукта	Биполярные транзисторы с изолированным затвором (I
Максимальная рабочая температура	+ 175 C
Максимальное напряжение затвор-эмиттер	+/- 30 V
Минимальная рабочая температура	40 C
Напряжение коллектор-эмиттер (VCEO), макс.	650 V
Напряжение насыщения коллектор-эмиттер	1.6 V
Непрерывный коллекторный ток	25 A
Непрерывный коллекторный ток при 25 C	50 A
Непрерывный ток коллектора Ic, макс.	50 A
Подкатегория	IGBTs
Размер фабричной упаковки	450
Серия	RGTH50TS65
Технология	Si
Тип продукта	IGBT Transistors
Ток утечки затвор-эмиттер	+/- 200 nA
Торговая марка	ROHM Semiconductor
Упаковка	Tube
Упаковка / блок	TO-247-3
Вес, г	38