RGT50TS65DGC11, IGBT Transistors 650V 25A IGBT Stop Trench
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
см. техническую документацию
291 шт., срок 8-10 недель
4 890 ֏
от 10 шт. —
3 770 ֏
от 25 шт. —
3 440 ֏
от 100 шт. —
2 760 ֏
Добавить в корзину 1 шт.
на сумму 4 890 ֏
Описание
Полупроводниковые приборы\Дискретные полупроводниковые приборы\Транзисторы\Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT)
Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) 650V 25A IGBT Stop Trench
Технические параметры
Pd - рассеивание мощности | 174 W |
Вид монтажа | Through Hole |
Диапазон рабочих температур | 40 C to + 175 C |
Другие названия товара № | RGT50TS65D |
Категория продукта | Биполярные транзисторы с изолированным затвором (I |
Максимальная рабочая температура | + 175 C |
Максимальное напряжение затвор-эмиттер | 30 V |
Минимальная рабочая температура | 40 C |
Напряжение коллектор-эмиттер (VCEO), макс. | 650 V |
Напряжение насыщения коллектор-эмиттер | 1.65 V |
Непрерывный коллекторный ток | 25 A |
Непрерывный коллекторный ток при 25 C | 48 A |
Непрерывный ток коллектора Ic, макс. | 48 A |
Подкатегория | IGBTs |
Размер фабричной упаковки | 450 |
Серия | RGT50TS65D |
Технология | Si |
Тип продукта | IGBT Transistors |
Ток утечки затвор-эмиттер | +/- 200 nA |
Торговая марка | ROHM Semiconductor |
Упаковка | Tube |
Упаковка / блок | TO-247-3 |
Вес, г | 38 |
Техническая документация
Datasheet RGT50TS65DGC11
pdf, 1193 КБ
Сроки доставки
Доставка в регион Ереван
Офис «ЧИП и ДИП» | 31 июля1 | бесплатно |
HayPost | 4 августа1 | 1 650 ֏2 |
1 ориентировочно, дата доставки зависит от даты оплаты или подтверждения заказа
2 для посылок массой до 1 кг
Похожие товары