Главная › Электронные компоненты › Транзисторы › Биполярные (BJTs) › Nexperia › BC53PASX, Bipolar Transistors - BJT ...

BC53PASX, Bipolar Transistors - BJT BC53PAS/SOT1061/HUSON3

Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию

4536 шт., срок 8-10 недель

530 ֏

от 10 шт. — 368 ֏

от 100 шт. — 158 ֏

от 1000 шт. — 111 ֏

Добавить в корзину 1 шт. на сумму 530 ֏

Номенклатурный номер: 8004727405

Бренд: Nexperia B.V.

Описание

Полупроводниковые приборы\Дискретные полупроводниковые приборы\Транзисторы\Биполярные транзисторы - BJT

Биполярные транзисторы - BJT 1A PNP Medium Power Transistors

Технические параметры

Pd - рассеивание мощности	1.65 W
Вид монтажа	SMD/SMT
Категория продукта	Биполярные транзисторы - BJT
Коллектор постоянного тока/Мин. коэфф. усиления транзистора (hfe)	63 at - 150 mA, - 2 V
Конфигурация	Single
Коэффициент усиления по постоянному току (hFE), макс.	250 at - 150 mA, - 2 V
Максимальная рабочая температура	+ 150 C
Максимальный постоянный ток коллектора	2 A
Минимальная рабочая температура	55 C
Напряжение коллектор-база (VCBO)	100 V
Напряжение коллектор-эмиттер (VCEO), макс.	80 V
Напряжение насыщения коллектор-эмиттер	500 mV
Напряжение эмиттер-база (VEBO)	5 V
Непрерывный коллекторный ток	1 A
Подкатегория	Transistors
Полярность транзистора	PNP
Произведение коэффициента усиления на ширину полосы пропускания (fT)	145 MHz
Размер фабричной упаковки	3000
Технология	Si
Тип продукта	BJTs - Bipolar Transistors
Торговая марка	Nexperia
Упаковка / блок	DFN2020D-3
Base Product Number	BC53 ->
Current - Collector (Ic) (Max)	1A
Current - Collector Cutoff (Max)	100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce	63 @ 150mA, 2V
ECCN	EAR99
Frequency - Transition	145MHz
HTSUS	8541.21.0075
Moisture Sensitivity Level (MSL)	1 (Unlimited)
Mounting Type	Surface Mount
Operating Temperature	150В°C (TJ)
Package	Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT)Digi-ReelВ®
Package / Case	3-UDFN Exposed Pad
Power - Max	420mW
REACH Status	REACH Unaffected
RoHS Status	ROHS3 Compliant
Supplier Device Package	DFN2020D-3
Transistor Type	PNP
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic	500mV @ 50mA, 500mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max)	80V
Вес, г	1