NSVJ6904DSB6T1G, JFET JFET -25V, 20 TO 40MA DUA
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
см. техническую документацию
1 080 ֏
от 10 шт. —
860 ֏
от 100 шт. —
640 ֏
от 500 шт. —
483 ֏
Добавить в корзину 1 шт.
на сумму 1 080 ֏
Описание
Semiconductors\Discrete Semiconductors\Transistors\JFET
Технические параметры
Brand: | onsemi |
Configuration: | Dual |
Drain-Source Current at Vgs=0: | 40 mA |
Factory Pack Quantity: Factory Pack Quantity: | 3000 |
Forward Transconductance - Min: | 40 mS |
Gate-Source Cutoff Voltage: | -1.2 V |
Id - Continuous Drain Current: | 4.5 A |
Manufacturer: | onsemi |
Maximum Drain Gate Voltage: | 25 V |
Maximum Operating Temperature: | +150 C |
Minimum Operating Temperature: | -55 C |
Mounting Style: | SMD/SMT |
Package / Case: | CPH-6 |
Pd - Power Dissipation: | 400 mW |
Product Category: | JFET |
Product Type: | JFETs |
Qualification: | AEC-Q101 |
Rds On - Drain-Source Resistance: | 78 mOhms |
Subcategory: | Transistors |
Technology: | Si |
Transistor Polarity: | N-Channel |
Vds - Drain-Source Breakdown Voltage: | 25 V |
Vgs - Gate-Source Breakdown Voltage: | -25 V |
Channel Type | N Channel |
Gate Source Breakdown Voltage Max | -25В |
Квалификация | AEC-Q101 |
Количество Выводов | 6 Выводов |
Макс. Напряжение Откл. Затвор-исток Vgs(off) | -1.8В |
Макс. Ток Стока при Напряжении = 0 (Idss max) | 40мА |
Максимальная Рабочая Температура | 150°C |
Мин. Ток Стока при Напряжении = 0 (Idss min) | 20мА |
Монтаж транзистора | Surface Mount |
Стиль Корпуса Транзистора | CPH |
Тип Транзистора | JFET |
Уровень Чувствительности к Влажности (MSL) | MSL 1-Безлимитный |
Вес, г | 1.361 |
Техническая документация
Datasheet
pdf, 230 КБ
Datasheet NSVJ6904DSB6T1G
pdf, 165 КБ
Похожие товары