STW28NM50N, Транзистор N-МОП, полевой, 500В, 13А, 150Вт, TO247
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
см. техническую документацию
135 шт., срок 8 недель
3 900 ֏
от 3 шт. —
3 460 ֏
от 10 шт. —
2 700 ֏
от 30 шт. —
2 260 ֏
Добавить в корзину 1 шт.
на сумму 3 900 ֏
Альтернативные предложения1
Описание
Описание Транзистор полевой STW28NM50N от STMicroelectronics – это надежный N-MOSFET компонент, предназначенный для THT (сквозного) монтажа. Обладает током стока 13 А и напряжением сток-исток 500 В, что позволяет использовать его в широком спектре электронных схем. Мощность транзистора достигает 150 Вт, а низкое сопротивление в открытом состоянии, всего 0,135 Ом, обеспечивает эффективную работу. Корпус TO247 обеспечивает удобную установку и надежность при эксплуатации. Выбирая STW28NM50N, вы получаете качество от известного производителя STMicroelectronics. Артикул STW28NM50N подтверждает подлинность и соответствие требуемым характеристикам. Характеристики
Категория | Транзистор |
Тип | полевой |
Вид | N-MOSFET |
Монтаж | THT |
Ток стока, А | 13 |
Напряжение сток-исток, В | 500 |
Мощность, Вт | 150 |
Сопротивление в открытом состоянии, Ом | 0.135 |
Корпус | TO247 |
Технические параметры
Channel Mode | Enhancement |
Channel Type | N |
Maximum Continuous Drain Current | 21 A |
Maximum Drain Source Resistance | 158 mΩ |
Maximum Drain Source Voltage | 500 V |
Maximum Gate Source Voltage | -25 V, +25 V |
Maximum Gate Threshold Voltage | 4V |
Maximum Operating Temperature | +150 °C |
Maximum Power Dissipation | 150 W |
Minimum Gate Threshold Voltage | 2V |
Mounting Type | Through Hole |
Number of Elements per Chip | 1 |
Package Type | TO-247 |
Pin Count | 3 |
Series | MDmesh |
Transistor Configuration | Single |
Transistor Material | Si |
Typical Gate Charge @ Vgs | 50 nC @ 10 V |
Width | 5.15mm |
Brand: | STMicroelectronics |
Channel Mode: | Enhancement |
Configuration: | Single |
Factory Pack Quantity: Factory Pack Quantity: | 600 |
Fall Time: | 52 ns |
Forward Transconductance - Min: | 1.5 S |
Id - Continuous Drain Current: | 21 A |
Manufacturer: | STMicroelectronics |
Maximum Operating Temperature: | +150 C |
Minimum Operating Temperature: | -55 C |
Mounting Style: | Through Hole |
Number of Channels: | 1 Channel |
Package / Case: | TO-247-3 |
Packaging: | Tube |
Pd - Power Dissipation: | 150 W |
Product Category: | MOSFET |
Product Type: | MOSFET |
Qg - Gate Charge: | 50 nC |
Rds On - Drain-Source Resistance: | 158 mOhms |
Rise Time: | 19 ns |
Series: | STW28NM50N |
Subcategory: | MOSFETs |
Technology: | Si |
Tradename: | MDmesh |
Transistor Polarity: | N-Channel |
Transistor Type: | 1 N-Channel |
Type: | N-Channel MDmesh II Power MOSFET |
Typical Turn-Off Delay Time: | 62 ns |
Typical Turn-On Delay Time: | 13.6 ns |
Vds - Drain-Source Breakdown Voltage: | 500 V |
Vgs - Gate-Source Voltage: | -25 V, +25 V |
Vgs th - Gate-Source Threshold Voltage: | 4 V |
Вес, г | 4.49 |
Техническая документация
Сроки доставки
Доставка в регион Ереван
Офис «ЧИП и ДИП» | 7 августа1 | бесплатно |
HayPost | 11 августа1 | 1 650 ֏2 |
1 ориентировочно, дата доставки зависит от даты оплаты или подтверждения заказа
2 для посылок массой до 1 кг
Похожие товары