IPP50R199CPXKSA1, Силовой МОП-транзистор, N Channel, 500 В, 23 А, 0.13 Ом, TO-220, Through Hole
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
см. техническую документацию
4 470 ֏
Мин. кол-во для заказа 3 шт.
от 10 шт. —
3 940 ֏
от 100 шт. —
2 960 ֏
Добавить в корзину 3 шт.
на сумму 13 410 ֏
Описание
Полупроводники - Дискретные\МОП-транзисторы\Одиночные МОП-транзисторы
Описание Транзистор полевой IPP50R199CPXKSA1 от производителя INFINEON – это высококачественный компонент для использования в электронных устройствах, где требуется мощный N-MOSFET. Модель монтируется с помощью THT (сквозного монтажа), обеспечивая простую установку и надежное соединение. Ток стока достигает 17 А, а напряжение сток-исток выдерживает до 500 В, что позволяет использовать транзистор в мощных схемах. Его мощность составляет 139 Вт, а сопротивление в открытом состоянии всего 0,199 Ом, что свидетельствует о высокой эффективности и экономии энергии. Корпус PG-TO220-3 обеспечивает удобство монтажа и достаточную теплоотдачу. Для технических специалистов, которые ищут надежные компоненты, IPP50R199CPXKSA1 станет отличным выбором благодаря сочетанию производительности и качества от INFINEON. Код товара без специальных символов и пробелов: IPP50R199CPXKSA1. Характеристики Категория | Транзистор |
Тип | полевой |
Вид | N-MOSFET |
Монтаж | THT |
Ток стока, А | 17 |
Напряжение сток-исток, В | 500 |
Мощность, Вт | 139 |
Сопротивление в открытом состоянии, Ом | 0.199 |
Корпус | PG-TO220-3 |
Технические параметры
Channel Type | N Channel |
Drain Source On State Resistance | 0.13Ом |
Power Dissipation | 192Вт |
Количество Выводов | 3вывод(-ов) |
Линейка Продукции | CoolMOS CP |
Максимальная Рабочая Температура | 150°C |
Монтаж транзистора | Through Hole |
Напряжение Измерения Rds(on) | 10В |
Напряжение Истока-стока Vds | 500В |
Непрерывный Ток Стока | 23А |
Полярность Транзистора | N Канал |
Пороговое Напряжение Vgs | 3В |
Рассеиваемая Мощность | 192Вт |
Сопротивление во Включенном Состоянии Rds(on) | 0.13Ом |
Стиль Корпуса Транзистора | TO-220 |
Brand: | Infineon Technologies |
Channel Mode: | Enhancement |
Configuration: | Single |
Factory Pack Quantity: Factory Pack Quantity: | 500 |
Fall Time: | 10 ns |
Id - Continuous Drain Current: | 17 A |
Manufacturer: | Infineon |
Maximum Operating Temperature: | +150 C |
Minimum Operating Temperature: | -55 C |
Mounting Style: | Through Hole |
Number of Channels: | 1 Channel |
Package / Case: | TO-220-3 |
Packaging: | Tube |
Part # Aliases: | IPP50R199CP SP000680934 |
Pd - Power Dissipation: | 139 W |
Product Category: | MOSFET |
Product Type: | MOSFET |
Qg - Gate Charge: | 34 nC |
Rds On - Drain-Source Resistance: | 180 mOhms |
Rise Time: | 14 ns |
Series: | CoolMOS CE |
Subcategory: | MOSFETs |
Technology: | Si |
Tradename: | CoolMOS |
Transistor Polarity: | N-Channel |
Transistor Type: | 1 N-Channel |
Typical Turn-Off Delay Time: | 80 ns |
Typical Turn-On Delay Time: | 35 ns |
Vds - Drain-Source Breakdown Voltage: | 500 V |
Vgs - Gate-Source Voltage: | -20 V, +20 V |
Vgs th - Gate-Source Threshold Voltage: | 3 V |
Вес, г | 2 |
Техническая документация
Datasheet
pdf, 547 КБ
Datasheet IPP50R199CPXKSA1
pdf, 550 КБ
Похожие товары