2N2608, JFET JFET
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
см. техническую документацию
85 300 ֏
Добавить в корзину 1 шт.
на сумму 85 300 ֏
Описание
Полупроводниковые приборы\Дискретные полупроводниковые приборы\Транзисторы\JFET
Технические параметры
Pd - рассеивание мощности | 300 mW |
RoHS | N |
Vds - напряжение пробоя затвор-исток | 30 V |
Вид монтажа | Through Hole |
Категория продукта | JFET |
Конфигурация | Single |
Максимальная рабочая температура | + 200 C |
Минимальная рабочая температура | 65 C |
Напряжение отсечки затвор-исток | 0.75 V to 6 V |
Подкатегория | Transistors |
Полярность транзистора | P-Channel |
Размер фабричной упаковки | 1 |
Технология | Si |
Тип продукта | JFETs |
Ток стока при Vgs=0 | 1 mA to - 5 mA |
Торговая марка | Microsemi |
Упаковка | Bulk |
Упаковка / блок | TO-18-3 |
Вес, г | 1 |
Техническая документация
Datasheet 2N2608
pdf, 45 КБ