Jantx2N2219AL, Bipolar Transistors - BJT Small-Signal BJT

Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию

19 200 ֏

от 25 шт. — 17 100 ֏

от 100 шт. — 14 800 ֏

Добавить в корзину 1 шт. на сумму 19 200 ֏

Номенклатурный номер: 8004809993

Полупроводниковые приборы\Дискретные полупроводниковые приборы\Транзисторы\Биполярные транзисторы - BJT

Биполярные транзисторы - BJT Small-Signal BJT

Pd - рассеивание мощности	800 mW
RoHS	N
Вид монтажа	Through Hole
Категория продукта	Биполярные транзисторы - BJT
Коллектор постоянного тока/Мин. коэфф. усиления транзистора (hfe)	75 at 1 mA at 10 VDC
Конфигурация	Single
Коэффициент усиления по постоянному току (hFE), макс.	325 at 1 mA at 10 VDC
Максимальная рабочая температура	+ 200 C
Максимальный постоянный ток коллектора	800 mA
Минимальная рабочая температура	55 C
Напряжение коллектор-база (VCBO)	75 V
Напряжение коллектор-эмиттер (VCEO), макс.	50 V
Напряжение насыщения коллектор-эмиттер	300 mV
Напряжение эмиттер-база (VEBO)	6 V
Подкатегория	Transistors
Полярность транзистора	NPN
Размер фабричной упаковки	1
Технология	Si
Тип продукта	BJTs - Bipolar Transistors
Торговая марка	Microsemi
Упаковка	Tray
Упаковка / блок	TO-5-3
Вес, г	1