Jantx2N5339, Bipolar Transistors - BJT Power BJT
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
см. техническую документацию
12 600 ֏
от 10 шт. —
12 000 ֏
от 100 шт. —
10 300 ֏
Добавить в корзину 1 шт.
на сумму 12 600 ֏
Описание
Semiconductors\Discrete Semiconductors\Transistors\Bipolar Transistors - BJT
Технические параметры
| Brand: | Microchip/Microsemi |
| Collector- Base Voltage VCBO: | 100 V |
| Collector- Emitter Voltage VCEO Max: | 100 V |
| Collector-Emitter Saturation Voltage: | 700 mV |
| Configuration: | Single |
| DC Collector/Base Gain hfe Min: | 60 at 2 A, 2 VDC |
| DC Current Gain hFE Max: | 240 at 2 A, 2 VDC |
| Emitter- Base Voltage VEBO: | 6 V |
| Factory Pack Quantity: Factory Pack Quantity: | 1 |
| Manufacturer: | Microchip |
| Maximum DC Collector Current: | 5 A |
| Maximum Operating Temperature: | +200 C |
| Minimum Operating Temperature: | -65 C |
| Mounting Style: | Through Hole |
| Package / Case: | TO-39-3 |
| Packaging: | Bulk |
| Pd - Power Dissipation: | 1 W |
| Product Category: | Bipolar Transistors-BJT |
| Product Type: | BJTs-Bipolar Transistors |
| Subcategory: | Transistors |
| Technology: | Si |
| Transistor Polarity: | NPN |
| Вес, г | 0.1 |
Техническая документация
Datasheet
pdf, 180 КБ
Похожие товары
![Транзистор BU808DFX, тип NPN, 160 Вт, корпус ISO-WATT218 ,ST [BU808DFI]](https://static.chipdip.ru/lib/126/DOC011126176.jpg)
