Главная › Электронные компоненты › Транзисторы › Биполярные (BJTs) › ST Microelectronics › STB6NK60ZT4, , Транзистор полевой N-канальный ...

STB6NK60ZT4, , Транзистор полевой N-канальный , 600В, 6А, 110Вт, корпус TO-263 (D2PAK)

Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию

1000 шт. с центрального склада, срок 13 дней

530 ֏

Кратность заказа 10 шт.

от 50 шт. — 482 ֏

от 100 шт. — 425 ֏

Добавить в корзину 10 шт. на сумму 5 300 ֏

Альтернативные предложения4

Номенклатурный номер: 8030879376

Бренд: STMicroelectronics

Описание

ТРАНЗИСТОРЫ\Транзисторы разные

Описание Транзистор N-МОП, полевой, 600В, 3,8А, 110Вт, D2PAK

Технические параметры

Корпус	TO-263(D2PAK)
MSL(Уровень чувствительности к влажности)	1
Диапазон рабочих температур	-55…+150 °С
Емкость, пФ	905
Заряд затвора, нКл	46
Максимально допустимое напряжение	затвор-исток(Vgs)±30 В
Максимальное напряжение сток-исток, В	600
Максимальный ток стока (при Ta=25C), А	6
Минимальное сопротивление открытого канала, мОм	1200
Мощность	рассеиваемая(max)-110 Вт
Напряжение	пороговое затвора(Vgs th)-4 В
Описание	N-Channel 600 V 6A(Tc)110W(Tc)Surface Mount D2PAK
Способ монтажа	поверхностный(SMT)
Тип	MOSFET
Тип проводимости	N
Транспортная упаковка: размер/кол-во	574636/1000
Упаковка	REEL, 1000 шт.
кол-во в упаковке	1000
Brand	STMicroelectronics
Channel Mode	Enhancement
Configuration	Single
Factory Pack Quantity	1000
Fall Time	19 ns
Forward Transconductance - Min	5 S
Height	4.6 mm
Id - Continuous Drain Current	6 A
Length	10.4 mm
Manufacturer	STMicroelectronics
Maximum Operating Temperature	+150 C
Minimum Operating Temperature	-55 C
Mounting Style	SMD/SMT
Number of Channels	1 Channel
Package / Case	TO-263-3
Packaging	Reel
Pd - Power Dissipation	110 W
Product Category	MOSFET
Rds On - Drain-Source Resistance	1.2 Ohms
Rise Time	14 ns
RoHS	Details
Series	STB6NK60Z
Technology	Si
Transistor Polarity	N-Channel
Transistor Type	1 N-Channel
Type	MOSFET
Typical Turn-Off Delay Time	47 ns
Typical Turn-On Delay Time	14 ns
Vds - Drain-Source Breakdown Voltage	600 V
Vgs - Gate-Source Voltage	30 V
Width	9.35 mm
Вес, г	2