RGT00TS65DGC11, IGBT Transistors 650V 50A Trench IGBT Field Stop TO-247N

Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию

361 шт., срок 8-10 недель

7 100 ֏

от 10 шт. — 5 500 ֏

от 25 шт. — 5 100 ֏

от 100 шт. — 4 030 ֏

Добавить в корзину 1 шт. на сумму 7 100 ֏

Номенклатурный номер: 8005265134

Бренд: Rohm

Полупроводниковые приборы\Дискретные полупроводниковые приборы\Транзисторы\Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT)

Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) 650V 50A Trench IGBT Field Stop TO-247N

Pd - рассеивание мощности	277 W
Вид монтажа	Through Hole
Другие названия товара №	RGT00TS65D
Категория продукта	Биполярные транзисторы с изолированным затвором (I
Конфигурация	Single
Максимальная рабочая температура	+ 175 C
Максимальное напряжение затвор-эмиттер	+/- 30 V
Минимальная рабочая температура	40 C
Напряжение коллектор-эмиттер (VCEO), макс.	650 V
Напряжение насыщения коллектор-эмиттер	1.65 V
Непрерывный коллекторный ток при 25 C	85 A
Подкатегория	IGBTs
Размер фабричной упаковки	450
Тип продукта	IGBT Transistors
Ток утечки затвор-эмиттер	200 nA
Торговая марка	ROHM Semiconductor
Упаковка	Tube
Упаковка / блок	TO-247N-3
Вес, г	6