RGW00TK65GVC11, IGBT Transistors 650V 50A TO-3PFM Field Stp Trnch IGBT

Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию

450 шт., срок 8-10 недель

8 100 ֏

от 10 шт. — 6 700 ֏

от 100 шт. — 4 850 ֏

от 450 шт. — 3 920 ֏

Добавить в корзину 1 шт. на сумму 8 100 ֏

Альтернативные предложения1

Номенклатурный номер: 8005265171

Бренд: Rohm

Полупроводниковые приборы\Дискретные полупроводниковые приборы\Транзисторы\Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT)

Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) 650V 50A TO-3PFM Field Stp Trnch IGBT

Pd - рассеивание мощности	89 W
Вид монтажа	Through Hole
Категория продукта	Биполярные транзисторы с изолированным затвором (I
Конфигурация	Single
Максимальная рабочая температура	+ 175 C
Максимальное напряжение затвор-эмиттер	30 V
Минимальная рабочая температура	40 C
Напряжение коллектор-эмиттер (VCEO), макс.	650 V
Напряжение насыщения коллектор-эмиттер	1.5 V
Непрерывный коллекторный ток при 25 C	45 A
Непрерывный ток коллектора Ic, макс.	45 A
Подкатегория	IGBTs
Технология	Si
Тип продукта	IGBT Transistors
Ток утечки затвор-эмиттер	200 nA
Торговая марка	ROHM Semiconductor
Упаковка	Tube
Упаковка / блок	TO-3PFM
Collector Emitter Saturation Voltage	1.5В
Collector Emitter Voltage Max	650В
Continuous Collector Current	45А
Power Dissipation	89Вт
Количество Выводов	3вывод(-ов)
Монтаж транзистора	Through Hole
Стиль Корпуса Транзистора	TO-3PFM
Вес, г	1