2SK879-GR(TE85L,F), JFET Junction FET N-Ch 0.3 to 6.5mA 10mA
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
см. техническую документацию
6174 шт., срок 8-10 недель
510 ֏
Добавить в корзину 1 шт.
на сумму 510 ֏
Альтернативные предложения1
Описание
Semiconductors\Discrete Semiconductors\Transistors\JFET
JFET Junction FET N-Ch 0,3 - 6,5 мА 10 мА
Технические параметры
| Brand: | Toshiba |
| Configuration: | Single |
| Drain-Source Current at Vgs=0: | 2.6 mA |
| Factory Pack Quantity: | 3000 |
| Gate-Source Cut-off Voltage: | -5 V |
| Id - Continuous Drain Current: | 6.5 mA |
| Manufacturer: | Toshiba |
| Mounting Style: | SMD/SMT |
| Package/Case: | SC-70-3 |
| Pd - Power Dissipation: | 100 mW |
| Product Category: | JFET |
| Product Type: | JFETs |
| Subcategory: | Transistors |
| Technology: | Si |
| Transistor Polarity: | N-Channel |
| Type: | JFET |
| Vds - Drain-Source Breakdown Voltage: | 10 V |
| Vgs - Gate-Source Breakdown Voltage: | -30 V |
| Brand | Toshiba |
| Configuration | Single |
| Drain-Source Current at Vgs=0 | 2.6 mA |
| Factory Pack Quantity | 3000 |
| Gate-Source Cutoff Voltage | -5 V |
| Id - Continuous Drain Current | 6.5 mA |
| Manufacturer | Toshiba |
| Mounting Style | SMD/SMT |
| Package / Case | SC-70-3 |
| Packaging | Reel |
| Pd - Power Dissipation | 100 mW |
| Product Category | JFET |
| RoHS | Details |
| Series | 2SK879 |
| Transistor Polarity | N-Channel |
| Unit Weight | 0.000219 oz |
| Vds - Drain-Source Breakdown Voltage | 10 V |
| Vgs - Gate-Source Breakdown Voltage | -30 V |
| Вес, г | 0.01 |
Техническая документация
Datasheet
pdf, 288 КБ
Документация
pdf, 291 КБ
Сроки доставки
Доставка в регион Ереван
| Офис «ЧИП и ДИП» | 3 июля1 | бесплатно |
| HayPost | 7 июля1 | 1 650 ֏2 |
1 ориентировочно, дата доставки зависит от даты оплаты или подтверждения заказа
2 для посылок массой до 1 кг
