RGT16NL65DGTL, IGBT Transistors RGT16NL65D is a Field Stop Trench IGBT with low collector - emitter saturation voltage, suitable for General

Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию

884 шт., срок 8-10 недель

3 290 ֏

от 10 шт. — 2 450 ֏

от 100 шт. — 1 950 ֏

от 250 шт. — 1 690 ֏

Добавить в корзину 1 шт. на сумму 3 290 ֏

Альтернативные предложения1

Номенклатурный номер: 8005545356

Бренд: Rohm

Полупроводниковые приборы\Дискретные полупроводниковые приборы\Транзисторы\Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT)

Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) FIELD STOP TRENCH IGBT

Pd - рассеивание мощности	94 W
Вид монтажа	SMD/SMT
Другие названия товара №	RGT16NL65D
Категория продукта	Биполярные транзисторы с изолированным затвором (I
Конфигурация	Single
Максимальная рабочая температура	+ 175 C
Максимальное напряжение затвор-эмиттер	30 V
Минимальная рабочая температура	40 C
Напряжение коллектор-эмиттер (VCEO), макс.	650 V
Напряжение насыщения коллектор-эмиттер	1.65 V
Непрерывный коллекторный ток при 25 C	16 A
Подкатегория	IGBTs
Размер фабричной упаковки	1000
Технология	Si
Тип продукта	IGBT Transistors
Ток утечки затвор-эмиттер	200 nA
Торговая марка	ROHM Semiconductor
Упаковка	Reel, Cut Tape
Упаковка / блок	TO-263L-3
Collector Emitter Saturation Voltage	1.65В
Collector Emitter Voltage Max	650В
Continuous Collector Current	16А
Power Dissipation	94Вт
Количество Выводов	3вывод(-ов)
Монтаж транзистора	Surface Mount
Стиль Корпуса Транзистора	TO-263(D2PAK)
Уровень Чувствительности к Влажности (MSL)	MSL 1-Безлимитный
Вес, г	1