2SA2039-TL-E, Bipolar Transistors - BJT BIP PNP 5A 50V
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
см. техническую документацию
800 ֏
от 10 шт. —
680 ֏
от 100 шт. —
467 ֏
от 700 шт. —
356 ֏
Добавить в корзину 1 шт.
на сумму 800 ֏
Описание
Полупроводниковые приборы\Дискретные полупроводниковые приборы\Транзисторы\Биполярные транзисторы - BJT
Биполярные транзисторы - BJT BIP PNP 5A 50V
Технические параметры
Pd - рассеивание мощности | 15 W |
Вид монтажа | SMD/SMT |
Категория продукта | Биполярные транзисторы - BJT |
Коллектор постоянного тока/Мин. коэфф. усиления транзистора (hfe) | 200 |
Конфигурация | Single |
Коэффициент усиления по постоянному току (hFE), макс. | 560 |
Максимальная рабочая температура | + 150 C |
Минимальная рабочая температура | 55 C |
Напряжение коллектор-база (VCBO) | 50 V, 100 V |
Напряжение коллектор-эмиттер (VCEO), макс. | 50 V, 100 V |
Напряжение насыщения коллектор-эмиттер | 255 mV, 160 mV |
Напряжение эмиттер-база (VEBO) | 6 V, 6 V |
Непрерывный коллекторный ток | 5 A, 5 A |
Подкатегория | Transistors |
Полярность транзистора | PNP |
Произведение коэффициента усиления на ширину полосы пропускания (fT) | 360 MHz, 400 MHz |
Размер фабричной упаковки | 700 |
Серия | 2SA2039 |
Технология | Si |
Тип продукта | BJTs - Bipolar Transistors |
Торговая марка | ON Semiconductor |
Упаковка / блок | TO-252-3 |
EU RoHS | Compliant with Exemption |
ECCN (US) | EAR99 |
Part Status | Active |
HTS | 8541.29.00.95 |
PCB changed | 2 |
Package Height | 2.3 |
Mounting | Surface Mount |
Lead Shape | Gull-wing |
Tab | Tab |
Package Width | 5.5 |
Package Length | 6.5 |
Type | PNP |
Product Category | Bipolar Power |
Material | Si |
Configuration | Single |
Number of Elements per Chip | 1 |
Maximum Collector Base Voltage (V) | 50 |
Maximum Collector-Emitter Voltage (V) | 50 |
Maximum Emitter Base Voltage (V) | 6 |
Maximum Base Current (A) | 1.2 |
Maximum Base Emitter Saturation Voltage (V) | 1.2@100mA@2A |
Operating Junction Temperature (°C) | -55 to 150 |
Maximum Collector-Emitter Saturation Voltage (V) | 0.43@100mA@2A|0.195@50mA@1A |
Maximum DC Collector Current (A) | 5 |
Maximum Collector Cut-Off Current (nA) | 1000 |
Minimum DC Current Gain | 200@500mA@2V |
Maximum Power Dissipation (mW) | 800 |
Maximum Transition Frequency (MHz) | 360(Typ) |
Minimum Operating Temperature (°C) | -55 |
Maximum Operating Temperature (°C) | 150 |
Packaging | Tape and Reel |
Automotive | No |
Supplier Package | DPAK |
Pin Count | 3 |
Standard Package Name | TO-252 |
Military | No |
Brand | ON Semiconductor |
Collector- Base Voltage VCBO | -50 V, 100 V |
Collector- Emitter Voltage VCEO Max | -50 V, 100 V |
Collector-Emitter Saturation Voltage | -255 mV, 160 mV |
Continuous Collector Current | -5 A, 5 A |
DC Collector/Base Gain hfe Min | 200 |
DC Current Gain hFE Max | 560 |
Emitter- Base Voltage VEBO | -6 V, 6 V |
Factory Pack Quantity | 700 |
Gain Bandwidth Product fT | 360 MHz, 400 MHz |
Manufacturer | ON Semiconductor |
Maximum Operating Temperature | +150 C |
Minimum Operating Temperature | -55 C |
Mounting Style | SMD/SMT |
Package / Case | TO-252 |
Pd - Power Dissipation | 15 W |
RoHS | Details |
Series | 2SA2039 |
Transistor Polarity | PNP |
Unit Weight | 0.063493 oz |
Maximum Collector Base Voltage | -50 V |
Maximum Collector Emitter Voltage | -50 V |
Maximum DC Collector Current | -5 A |
Maximum Emitter Base Voltage | -6 V |
Maximum Operating Frequency | 360 MHz |
Maximum Power Dissipation | 15 W |
Mounting Type | Surface Mount |
Package Type | TP-FA |
Transistor Configuration | Single |
Transistor Type | PNP |
Вес, г | 0.6 |
Техническая документация
Datasheet
pdf, 433 КБ
Datasheet
pdf, 1680 КБ
EN6912-D-1803990
pdf, 426 КБ
Datasheet 2SA2039, 2SC5706
pdf, 418 КБ