2SK209-GR(TE85L,F), JFET N-Ch Junction FET 10mA -50V VGDS
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
см. техническую документацию
89354 шт., срок 8-10 недель
590 ֏
Добавить в корзину 1 шт.
на сумму 590 ֏
Альтернативные предложения2
Описание
The Toshiba field effect transistor made up of the silicon material and having N channel junction type.
Технические параметры
| Case | SC59 |
| Drain current | 6.5mA |
| Gate current | 10mA |
| Gate-source voltage | -50V |
| Kind of package | reel, tape |
| Manufacturer | TOSHIBA |
| Mounting | SMD |
| Polarisation | unipolar |
| Power dissipation | 0.15W |
| Type of transistor | N-JFET |
| Channel Type | N |
| Idss Drain-Source Cut-off Current | 14mA |
| Maximum Gate Source Voltage | -50 V |
| Package Type | S-MINI |
| Pin Count | 3 |
| Вес, г | 1 |
Техническая документация
Datasheet
pdf, 277 КБ
Datasheet 2SK209-GR(TE85L,F)
pdf, 282 КБ
Сроки доставки
Доставка в регион Ереван
| Офис «ЧИП и ДИП» | 3 июля1 | бесплатно |
| HayPost | 7 июля1 | 1 650 ֏2 |
1 ориентировочно, дата доставки зависит от даты оплаты или подтверждения заказа
2 для посылок массой до 1 кг
