IXBH32N300, IGBT Transistors IGBT BIMSFT-VERY HIVOLT
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
см. техническую документацию
109 000 ֏
от 10 шт. —
90 400 ֏
от 30 шт. —
82 600 ֏
Добавить в корзину 1 шт.
на сумму 109 000 ֏
Описание
Semiconductors\Discrete Semiconductors\Transistors\IGBT Transistors
Решения для медицинского оборудования Решения для медицинского оборудования Littelfuse включают надежные и качественные компоненты, необходимые для обеспечения надежной работы и бесперебойной работы оборудования. Эти решения включают аппараты ИВЛ, дефибриллятор и ультразвук. Решения Littelfuse для медицинского оборудования идеально подходят для систем жизнеобеспечения, оборудования для ухода за пациентами и систем мониторинга пациентов.
Технические параметры
| Brand: | IXYS |
| Collector- Emitter Voltage VCEO Max: | 3 kV |
| Collector-Emitter Saturation Voltage: | 2.8 V |
| Configuration: | Single |
| Continuous Collector Current at 25 C: | 80 A |
| Continuous Collector Current Ic Max: | 280 A |
| Factory Pack Quantity: Factory Pack Quantity: | 30 |
| Gate-Emitter Leakage Current: | 100 nA |
| Manufacturer: | IXYS |
| Maximum Gate Emitter Voltage: | -20 V, +20 V |
| Maximum Operating Temperature: | +150 C |
| Minimum Operating Temperature: | -55 C |
| Mounting Style: | Through Hole |
| Package / Case: | TO-247-3 |
| Packaging: | Tube |
| Pd - Power Dissipation: | 400 W |
| Product Category: | IGBT Transistors |
| Product Type: | IGBT Transistors |
| Subcategory: | IGBTs |
| Technology: | Si |
| Вес, г | 6 |
Техническая документация
Datasheet
pdf, 172 КБ
Похожие товары
