JANS2N3501, Trans GP BJT NPN 150V 0.3A 1000mW 3-Pin TO-39 Tray
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
см. техническую документацию
14 400 ֏
Мин. кол-во для заказа 10 шт.
Добавить в корзину 10 шт.
на сумму 144 000 ֏
Технические параметры
Brand: | Microchip/Microsemi |
Collector- Base Voltage VCBO: | 150 V |
Collector- Emitter Voltage VCEO Max: | 150 V |
Collector-Emitter Saturation Voltage: | 400 mV |
Configuration: | Single |
Emitter- Base Voltage VEBO: | 6 V |
Factory Pack Quantity: Factory Pack Quantity: | 1 |
Manufacturer: | Microchip |
Maximum DC Collector Current: | 300 mA |
Maximum Operating Temperature: | +200 C |
Minimum Operating Temperature: | -65 C |
Mounting Style: | Through Hole |
Package / Case: | TO-39-3 |
Packaging: | Tray |
Pd - Power Dissipation: | 1 W |
Product Category: | Bipolar Transistors-BJT |
Product Type: | BJTs-Bipolar Transistors |
Subcategory: | Transistors |
Technology: | Si |
Transistor Polarity: | NPN |
Вес, г | 1 |
Техническая документация
Datasheet
pdf, 726 КБ
Похожие товары