2N3439UA, Trans GP BJT NPN 350V 1A 800mW 4-Pin UA Waffle
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
см. техническую документацию
34 500 ֏
Мин. кол-во для заказа 4 шт.
Добавить в корзину 4 шт.
на сумму 138 000 ֏
Описание
Diodes, Transistors and Thyristors\Bipolar Transistors\GP BJT
Trans GP BJT NPN 350V 1A 800mW 4-Pin UA Waffle
Технические параметры
| Automotive | No |
| Configuration | Single |
| ECCN (US) | EAR99 |
| EU RoHS | Not Compliant |
| Lead Shape | No Lead |
| Material | Si |
| Maximum Base Emitter Saturation Voltage (V) | 1.3 4mA 50mA |
| Maximum Collector Base Voltage (V) | 450 |
| Maximum Collector-Emitter Saturation Voltage (V) | 0.5 4mA 50mA |
| Maximum Collector-Emitter Voltage (V) | 350 |
| Maximum DC Collector Current (A) | 1 |
| Maximum Emitter Base Voltage (V) | 7 |
| Maximum Operating Temperature (°C) | 200 |
| Maximum Power Dissipation (mW) | 800 |
| Minimum DC Current Gain | 40 20mA 10V|30 2mA 10V|10 0.2mA 10V |
| Minimum Operating Temperature (°C) | -65 |
| Mounting | Surface Mount |
| Number of Elements per Chip | 1 |
| Packaging | Waffle |
| Part Status | Active |
| PCB changed | 4 |
| Pin Count | 4 |
| PPAP | No |
| Product Category | Bipolar Power |
| Standard Package Name | UA |
| Supplier Package | UA |
| Type | NPN |
| Вес, г | 1 |
Техническая документация
Datasheet 2N3439UA
pdf, 272 КБ
Похожие товары
