RGTV80TS65GC11, IGBT Transistors 650V 40A Field Stop Trench IGBT
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
см. техническую документацию
421 шт., срок 8-10 недель
6 900 ֏
от 10 шт. —
5 300 ֏
от 25 шт. —
4 130 ֏
от 250 шт. —
3 200 ֏
Добавить в корзину 1 шт.
на сумму 6 900 ֏
Альтернативные предложения1
Технические параметры
| Collector Emitter Saturation Voltage | 1.5В |
| Collector Emitter Voltage Max | 650В |
| Continuous Collector Current | 78А |
| Power Dissipation | 234Вт |
| Количество Выводов | 3вывод(-ов) |
| Линейка Продукции | Trench |
| Максимальная Рабочая Температура | 175°C |
| Монтаж транзистора | Through Hole |
| Стиль Корпуса Транзистора | TO-247N |
| Уровень Чувствительности к Влажности (MSL) | MSL 1-Безлимитный |
| Вес, г | 1 |
Сроки доставки
Доставка в регион Ереван
| Офис «ЧИП и ДИП» | 14 августа1 | бесплатно |
| HayPost | 18 августа1 | 1 650 ֏2 |
1 ориентировочно, дата доставки зависит от даты оплаты или подтверждения заказа
2 для посылок массой до 1 кг
Похожие товары
![GT50J325, Транзистор, IGBT, 600В, 50А [2-21F2C]](https://static.chipdip.ru/lib/303/DOC005303030.jpg)
![IKW75N60TFKSA1 (K75T60), Транзистор IGBT 600В 80А 428Вт [TO-247]](https://static.chipdip.ru/lib/307/DOC005307917.jpg)
![GT40WR21,Q(O, Транзистор IGBT 1800В 40А 375Вт [TO-3P(N)]](https://static.chipdip.ru/lib/426/DOC005426402.jpg)
