MMBT4124LT1G, Транзистор: NPN

Фото 1/3 MMBT4124LT1G, Транзистор: NPN
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
94 ֏
Добавить в корзину 1 шт. на сумму 94 ֏
Номенклатурный номер: 8008321254

Описание

Описание Транзистор: NPN, биполярный, 25В, 0,2А, 300мВт, SOT23 Характеристики
Категория Транзистор
Тип биполярный
Вид NPN

Технические параметры

Brand: onsemi
Collector- Base Voltage VCBO: 30 V
Collector- Emitter Voltage VCEO Max: 25 V
Collector-Emitter Saturation Voltage: 300 mV
Configuration: Single
Continuous Collector Current: 0.2 A
DC Collector/Base Gain hFE Min: 120
Emitter- Base Voltage VEBO: 5 V
Factory Pack Quantity: Factory Pack Quantity: 3000
Gain Bandwidth Product fT: 300 MHz
Manufacturer: onsemi
Maximum DC Collector Current: 200 mA
Maximum Operating Temperature: +150 C
Minimum Operating Temperature: -55 C
Mounting Style: SMD/SMT
Package/Case: SOT-23-3
Pd - Power Dissipation: 225 mW
Product Category: Bipolar Transistors-BJT
Product Type: BJTs-Bipolar Transistors
Series: MMBT4124
Subcategory: Transistors
Technology: Si
Transistor Polarity: NPN
Maximum Collector Emitter Voltage 25 V dc
Maximum DC Collector Current 200 mA
Maximum Emitter Base Voltage 5 V dc
Maximum Operating Temperature +150 °C
Maximum Power Dissipation 300 W
Minimum DC Current Gain 120
Mounting Type Surface Mount
Number of Elements per Chip 1
Package Type SOT-23
Pin Count 3
Transistor Configuration Single
Transistor Type NPN
Вес, г 97.52

Техническая документация

Datasheet
pdf, 208 КБ
Datasheet
pdf, 148 КБ