AO4447A
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
см. техническую документацию
890 ֏
Мин. кол-во для заказа 2 шт.
от 5 шт. —
680 ֏
от 10 шт. —
550 ֏
от 100 шт. —
457 ֏
Добавить в корзину 2 шт.
на сумму 1 780 ֏
Номенклатурный номер: 8008321879
Бренд: Alpha & Omega
Описание
Электроэлемент
Описание Транзистор полевой AO4447A от ALPHA & OMEGA SEMICONDUCTOR - высокоэффективный N-MOSFET, предназначенный для SMD-монтажа. Этот компонент обладает током стока 13 А и напряжением сток-исток 30 В, обеспечивая при этом мощность 2 Вт. Сопротивление в открытом состоянии составляет всего 0,007 Ом, что гарантирует его высокую проводимость и эффективность при минимальных потерях мощности. Компактный корпус SO8 позволяет использовать его в ограниченных пространствах. Используя AO4447A в своих проектах, вы получаете надежное и долговечное решение для различных электронных применений. Характеристики Категория | Транзистор |
Тип | полевой |
Вид | N-MOSFET |
Монтаж | SMD |
Ток стока, А | 13 |
Напряжение сток-исток, В | 30 |
Мощность, Вт | 2 |
Сопротивление в открытом состоянии, Ом | 0.007 |
Корпус | SO8 |
Технические параметры
Automotive | Unknown |
Channel Mode | Enhancement |
Channel Type | P |
Configuration | Single Quad Drain Triple Source |
Maximum Continuous Drain Current - (A) | 18.5 |
Maximum Drain Source Resistance - (mOhm) | 5.8@10V |
Maximum Drain Source Voltage - (V) | 30 |
Maximum Gate Source Voltage - (V) | ??20 |
Maximum Power Dissipation - (mW) | 3100 |
Military | No |
Number of Elements per Chip | 1 |
Operating Temperature - (??C) | -55~150 |
Packaging | Tape and Reel |
Pin Count | 8 |
Standard Package Name | SOP |
Supplier Package | SOIC |
Typical Gate Charge @ 10V - (nC) | 93 |
Typical Gate Charge @ Vgs - (nC) | 93@10VI46@4.5V |
Typical Input Capacitance @ Vds - (pF) | 5020@15V |
Case | SO8 |
Drain current | -13A |
Drain-source voltage | -30V |
Gate charge | 41nC |
Gate-source voltage | ±20V |
Kind of channel | enhanced |
Manufacturer | ALPHA & OMEGA SEMICONDUCTOR |
Mounting | SMD |
On-state resistance | 7mΩ |
Polarisation | unipolar |
Power dissipation | 2W |
Type of transistor | P-MOSFET |
Вес, г | 0.2 |
Техническая документация
Datasheet
pdf, 302 КБ
Документация
pdf, 378 КБ