IKA08N65ET6XKSA1
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
см. техническую документацию
2 640 ֏
от 2 шт. —
2 170 ֏
от 5 шт. —
1 830 ֏
от 10 шт. —
1 690 ֏
Добавить в корзину 1 шт.
на сумму 2 640 ֏
Описание
Электроэлемент
IGBT, 650V, 11A, 33W, TO-220; DC Collector Current:11A; Collector Emitter Saturation Voltage Vce(on):1.5V; Power Dissipation Pd:33W; Collector Emitter Voltage V(br)ceo:650V; Transistor Case Style:TO-220; No. of Pins:3Pin
Технические параметры
| Channel Type | N |
| Collector Current (DC) | 11(A) |
| Configuration | Single |
| Gate to Emitter Voltage (Max) | ±20(V) |
| Mounting | Through Hole |
| Operating Temperature (Max) | 175C |
| Operating Temperature (Min) | -40C |
| Operating Temperature Classification | Automotive |
| Package Type | TO-220FP |
| Packaging | Rail/Tube |
| Pin Count | 3+Tab |
| Rad Hardened | No |
| Collector Emitter Saturation Voltage | 1.5В |
| Collector Emitter Voltage Max | 650В |
| Continuous Collector Current | 11А |
| Power Dissipation | 33Вт |
| Количество Выводов | 3вывод(-ов) |
| Линейка Продукции | TRENCHSTOP IGBT6 |
| Максимальная Рабочая Температура | 175°C |
| Монтаж транзистора | Through Hole |
| Стиль Корпуса Транзистора | TO-220 |
| Уровень Чувствительности к Влажности (MSL) | MSL 1-Безлимитный |
| Вес, г | 3.06 |
Техническая документация
Datasheet IKA08N65ET6XKSA1
pdf, 2047 КБ
