Транзистор FF300R17KE4 БТИЗ массив и модульный транзистор, Двойной NPN, 440 А, 1.95 В, 1.8 кВт, 1.7 кВ

Фото 1/3 Транзистор FF300R17KE4 БТИЗ массив и модульный транзистор, Двойной NPN, 440 А, 1.95 В, 1.8 кВт, 1.7 кВ
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
178 000 ֏
Добавить в корзину 1 шт. на сумму 178 000 ֏
Номенклатурный номер: 8011099259

Описание

комплектующие/транзистор
Модули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) IGBT Module 300A 1700V

Технические параметры

Pd - рассеивание мощности 1800 W
Вид монтажа Chassis Mount
Другие названия товара № SP000713528 FF300R17KE4HOSA1
Категория продукта Модули биполярных транзисторов с изолированным зат
Коммерческое обозначение TRENCHSTOP
Конфигурация Dual
Максимальная рабочая температура + 150 C
Максимальное напряжение затвор-эмиттер 20 V
Минимальная рабочая температура 40 C
Напряжение коллектор-эмиттер (VCEO), макс. 1700 V
Напряжение насыщения коллектор-эмиттер 2.45 V
Непрерывный коллекторный ток при 25 C 440 A
Подкатегория IGBTs
Продукт IGBT Silicon Modules
Размер фабричной упаковки 10
Серия Trenchstop IGBT4 - E4
Технология Si
Тип продукта IGBT Modules
Ток утечки затвор-эмиттер 100 nA
Торговая марка Infineon Technologies
Упаковка Tray
Упаковка / блок 62 mm
Вес, г 500

Техническая документация

Datasheet FF300R17KE4
pdf, 609 КБ