IXTK140N30P, MOSFET Polar Power MOSFET

Фото 1/2 IXTK140N30P, MOSFET Polar Power MOSFET
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
27 200 ֏
от 10 шт.21 500 ֏
от 25 шт.20 100 ֏
от 50 шт.18 100 ֏
Добавить в корзину 1 шт. на сумму 27 200 ֏
Номенклатурный номер: 8012157589
Бренд: Ixys Corporation

Описание

Описание Транзистор полевой IXTK140N30P от IXYS - это высокомощный компонент, предназначенный для монтажа в отверстия (THT) с максимальным током стока 140 А и напряжением сток-исток 300 В. Компонент обладает выдающейся мощностью в 1 040 Вт и низким сопротивлением в открытом состоянии всего 0,024 Ом, что обеспечивает его эффективную работу в различных электронных схемах. Вид N-MOSFET гарантирует хорошую производительность при управлении высокими токами, а надежный корпус TO264 обеспечивает долговечность использования. Для удобства интеграции в схемы, IXTK140N30P поставляется в удобном для монтажа корпусе, что делает его идеальным выбором для разработчиков и инженеров. Характеристики
Категория Транзистор
Тип полевой
Вид N-MOSFET
Монтаж THT
Ток стока, А 140
Напряжение сток-исток, В 300
Мощность, Вт 1040
Сопротивление в открытом состоянии, Ом 0.024
Корпус TO264

Технические параметры

Case TO264
Drain current 140A
Drain-source voltage 300V
Gate charge 185nC
Gate-source voltage ±20V
Kind of channel enhanced
Kind of package tube
Manufacturer IXYS
Mounting THT
On-state resistance 240mΩ
Polarisation unipolar
Power dissipation 1040W
Reverse recovery time 250ns
Technology Polar™
Type of transistor N-MOSFET
Вес, г 1

Техническая документация

Datasheet
pdf, 115 КБ