BGH50N65ZF1, Транзистор: IGBT; SiC SBD; 650В; 50А; TO247-4
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
см. техническую документацию
26 шт., срок 8 недель
14 100 ֏
от 5 шт. —
10 800 ֏
Добавить в корзину 1 шт.
на сумму 14 100 ֏
Номенклатурный номер: 8014325528
Бренд: BASiC Semiconductor
Описание
Semiconductors\Transistors\IGBT transistors and modules\IGBT transistors
Технические параметры
| Case | TO247-4 |
| Collector current | 50A |
| Collector-emitter voltage | 650V |
| Features of semiconductor devices | integrated anti-parallel diode |
| Gate charge | 308nC |
| Gate-emitter voltage | ±20V |
| Kind of package | tube |
| Manufacturer | BASiC SEMICONDUCTOR |
| Mounting | THT |
| Power dissipation | 357W |
| Pulsed collector current | 200A |
| Technology | Field Stop, SiC SBD, Trench |
| Turn-off time | 476ns |
| Turn-on time | 54ns |
| Type of transistor | IGBT |
| Вес, г | 6.72 |
Техническая документация
Datasheet
pdf, 1548 КБ
Сроки доставки
Доставка в регион Ереван
| Офис «ЧИП и ДИП» | 7 августа1 | бесплатно |
| HayPost | 11 августа1 | 1 650 ֏2 |
1 ориентировочно, дата доставки зависит от даты оплаты или подтверждения заказа
2 для посылок массой до 1 кг
Похожие товары
![FGL40N120ANDTU, Транзистор IGBT 1200В 64А 500Вт + диод [TO-264]](https://static.chipdip.ru/lib/269/DOC006269373.jpg)
![IKY75N120CH3XKSA1 (K75MCH3), Транзистор, IGBT HighSpeed 3, N-CH, 1200В, 75А, 18...60 кГц [PG-TO247-4-2]](https://static.chipdip.ru/lib/569/DOC010569041.jpg)
