BGH50N65HS1, Транзистор: IGBT; SiC SBD; 650В; 50А; TO247-3
![BGH50N65HS1, Транзистор: IGBT; SiC SBD; 650В; 50А; TO247-3](https://static.chipdip.ru/lib/769/DOC034769643.jpg)
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
см. техническую документацию
37 шт., срок 8 недель
16 000 ֏
от 5 шт. —
11 700 ֏
от 30 шт. —
10 300 ֏
Добавить в корзину 1 шт.
на сумму 16 000 ֏
Номенклатурный номер: 8014327022
Бренд: BASiC Semiconductor
Описание
Semiconductors\Transistors\IGBT transistors and modules\IGBT transistors
Технические параметры
Case | TO247-3 |
Collector current | 50A |
Collector-emitter voltage | 650V |
Features of semiconductor devices | integrated anti-parallel diode |
Gate charge | 308nC |
Gate-emitter voltage | ±20V |
Kind of package | tube |
Manufacturer | BASiC SEMICONDUCTOR |
Mounting | THT |
Power dissipation | 357W |
Pulsed collector current | 200A |
Technology | Field Stop, SiC SBD, Trench |
Turn-off time | 256ns |
Turn-on time | 54ns |
Type of transistor | IGBT |
Вес, г | 6.27 |
Техническая документация
Datasheet
pdf, 1605 КБ
Сроки доставки
Доставка в регион Ереван
Офис «ЧИП и ДИП» | 7 августа1 | бесплатно |
HayPost | 11 августа1 | 1 650 ֏2 |
1 ориентировочно, дата доставки зависит от даты оплаты или подтверждения заказа
2 для посылок массой до 1 кг
Похожие товары