1200V 22.5A, SiC Schottky Diode, 3-Pin DPAK FFSD08120A
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
см. техническую документацию
5 100 ֏
Добавить в корзину 1 шт.
на сумму 5 100 ֏
Описание
Semiconductors\Discrete Semiconductors\Schottky Diodes & Rectifiers
Silicon Carbide (SiC) Schottky Diodes use a completely new technology that provides superior switching performance and higher reliability to silicon.
Технические параметры
Diode Configuration | Single |
Diode Technology | SiC Schottky |
Diode Type | SiC Schottky |
Maximum Continuous Forward Current | 22.5A |
Mounting Type | Surface Mount |
Number of Elements per Chip | 1 |
Package Type | TO-252 |
Peak Non-Repetitive Forward Surge Current | 530A |
Peak Reverse Repetitive Voltage | 1200V |
Pin Count | 3 |
Rectifier Type | Schottky Diode |
Average Forward Current | 8А |
Repetitive Peak Reverse Voltage | 1.2кВ |
Количество Выводов | 3 Вывода |
Максимальная Рабочая Температура | 175°C |
Полный Емкостной Заряд Qc | 55нКл |
Стиль Корпуса Диода | TO-252 |
Тип Монтажа Диода | SMD(Поверхностный Монтаж) |
Вес, г | 1 |
Техническая документация
Похожие товары