RGSX5TS65DHRC11 Single IGBT, 75 A 650 V, 3-Pin TO-247N, Through Hole
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
см. техническую документацию
6 шт., срок 8 недель
16 600 ֏
Добавить в корзину 1 шт.
на сумму 16 600 ֏
Альтернативные предложения1
Описание
Semiconductors\Discrete Semiconductors\IGBTs
The ROHM RGSX series is a 8μs SCSOA guaranteed field stop trench IGBT, suitable for heater of automotive.
Технические параметры
| Channel Type | N |
| Configuration | Single |
| Maximum Collector Emitter Voltage | 650 V |
| Maximum Continuous Collector Current | 75 A |
| Maximum Gate Emitter Voltage | ±30V |
| Maximum Power Dissipation | 404 W |
| Mounting Type | Through Hole |
| Number of Transistors | 1 |
| Package Type | TO-247N |
| Pin Count | 3 |
| Transistor Configuration | Common Emitter |
| Вес, г | 1 |
Техническая документация
Datasheet RGSX5TS65DHRC11
pdf, 5282 КБ
Сроки доставки
Доставка в регион Ереван
| Офис «ЧИП и ДИП» | 24 июля1 | бесплатно |
| HayPost | 28 июля1 | 1 650 ֏2 |
1 ориентировочно, дата доставки зависит от даты оплаты или подтверждения заказа
2 для посылок массой до 1 кг
Похожие товары
![IKY75N120CH3XKSA1 (K75MCH3), Транзистор, IGBT HighSpeed 3, N-CH, 1200В, 75А, 18...60 кГц [PG-TO247-4-2]](https://static.chipdip.ru/lib/569/DOC010569041.jpg)
